[發(fā)明專利]鍍膜裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910304772.3
• 申請日: 2009-07-24
• 公開（公告）號: CN101962754A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴紹凱
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C16/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種鍍膜裝置。

背景技術(shù)

目前，在基板上需要進(jìn)行物理氣相沉積(Physical?Vapor?Deposition，PVD)與化學(xué)氣相沉積(Chemical?Vapor?Deposition，CVD)進(jìn)行多層鍍膜時(shí)，一般需將基板分別放置在PVD鍍膜裝置與CVD鍍膜裝置中進(jìn)行鍍膜。

然而，采用此種鍍膜方式鍍膜時(shí)，由于需要移動(dòng)基板，操作麻煩，同時(shí)也影響了鍍膜效果。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種操作簡單、鍍膜效果較好的鍍膜裝置。

一種鍍膜裝置，其用于對一個(gè)待鍍膜基板進(jìn)行鍍膜。該鍍膜裝置包括一個(gè)主腔體及一個(gè)反應(yīng)裝置。待鍍膜基板與反應(yīng)裝置相對設(shè)置并收容于主腔體內(nèi)。反應(yīng)裝置包括一個(gè)承載板、一個(gè)反應(yīng)部、一個(gè)準(zhǔn)直管及一個(gè)蓋體。承載板用于承載一個(gè)靶材。承載板與蓋體分別設(shè)置在反應(yīng)部的相對兩端以封閉反應(yīng)部。準(zhǔn)直管位于反應(yīng)部內(nèi)且將反應(yīng)部分成一個(gè)第一腔體及一個(gè)第二腔體。靶材位于第一腔體內(nèi)。蓋體上開設(shè)多個(gè)與第二腔體相連通的通孔。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述鍍膜裝置通過在主腔體內(nèi)設(shè)置反應(yīng)裝置并在反應(yīng)裝置的第一腔體內(nèi)生成PVD鍍膜的膜料及在第二腔體內(nèi)生成CVD鍍膜的膜料，從而使鍍膜裝置能利用不同的鍍膜方法對待鍍膜基板進(jìn)行鍍膜，無需將待鍍膜基板移出主腔體，操作簡單，而且由于準(zhǔn)直管的設(shè)置使PVD鍍膜時(shí)的靶原子較均勻，從而使鍍膜效果較好。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施方式提供的鍍膜裝置與待鍍膜基板的示意圖。

圖2為圖1的鍍膜裝置的反應(yīng)裝置的示意圖。

圖3為圖1的鍍膜裝置的反應(yīng)裝置的立體分解示意圖。

圖4為圖2的反應(yīng)裝置沿IV-IV方向的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

請參閱圖1，為本發(fā)明實(shí)施方式提供的鍍膜裝置10，其用于對一個(gè)待鍍膜基板30進(jìn)行鍍膜。所述鍍膜裝置10包括一個(gè)主腔體110及一個(gè)反應(yīng)裝置120。所述反應(yīng)裝置120與基板30相對設(shè)置并收容于主腔體110內(nèi)，本實(shí)施方式中，基板30設(shè)置在主腔體110的底部，反應(yīng)裝置120設(shè)置在主腔體110的頂部。

請參閱圖2及圖3，反應(yīng)裝置120包括一個(gè)承載板122、一個(gè)反應(yīng)部124、一個(gè)準(zhǔn)直管126及一個(gè)蓋體128。所述承載板122與所述蓋體128分別設(shè)置在所述反應(yīng)部124的相對兩端以封閉反應(yīng)部124。所述準(zhǔn)直管126位于反應(yīng)部124內(nèi)并將反應(yīng)部124分成一個(gè)第一腔體124a與一個(gè)第二腔體124b。

承載板122用于承載一個(gè)靶材40(見圖3)且所述靶材40位于所述第一腔體124a內(nèi)。本實(shí)施方式中，靶材40的材料為鈦(Ti)。承載板122具有循環(huán)水道(圖未示)，循環(huán)水道形成于承載板122的兩側(cè)。循環(huán)水道用于供冷卻水通過以對承載板122及靶材40進(jìn)行冷卻，使得靶材40的溫度不會(huì)過高，以保證鍍膜的質(zhì)量。本實(shí)施方式中，承載板122的材料為不銹鋼。

反應(yīng)部124開設(shè)一進(jìn)氣口(圖未示)用于從外部引入反應(yīng)氣體至第一腔體124a內(nèi)與靶材40進(jìn)行反應(yīng)。

準(zhǔn)直管126用于使與準(zhǔn)直管126垂直方向的靶原子通過，從而保證靶原子的均勻性。本實(shí)施方式中，準(zhǔn)直管126的材料為鈦合金。

蓋體128的外表面128a開設(shè)一個(gè)凹槽128b。本實(shí)施方式中，所述凹槽128b的形狀大致為圓形。凹槽128b的底部開設(shè)多個(gè)與外部相連通的通孔129。本實(shí)施方式中，所述通孔129包括多個(gè)膜料出口129a及多個(gè)用于從外部引入反應(yīng)氣體的進(jìn)氣口129b。本實(shí)施方式中，在PVD鍍膜階段，從進(jìn)氣口129b引入的反應(yīng)氣體為氧氣(O₂)，從膜料出口129a噴出的膜料為鈦與氧氣的氧化物。