[發(fā)明專利]16000A/200~400V電焊機專用雪崩整流二極管及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910303951.5 | 申請日: | 2009-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN101582455A | 公開(公告)日: | 2009-11-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 夏吉夫;郭永亮;潘福泉;潘峰 | 申請(專利權(quán))人: | 錦州市雙合電器有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/861 | 分類號: | H01L29/861;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/22;H01L29/45;H01L21/329 |
| 代理公司: | 錦州遼西專利事務所 | 代理人: | 李 輝 |
| 地址: | 121000遼寧*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 16000 200 400 電焊機 專用 雪崩 整流二極管 及其 制造 方法 | ||
1.一種16000A/200~400?V電焊機專用雪崩整流二極管,由管殼、芯片構(gòu)成,所述的芯片包括基區(qū)N、擴磷區(qū)N+和擴硼區(qū)P+以及陰、陽極歐姆接觸,其特征是:所述的芯片采用N型(100)徑向低阻單晶硅片,所述的單晶硅片電阻率ρn為5~10Ω-cm、直徑為70㎜、厚度0.17~0.19㎜,且管子厚度為5~6mm,擴磷區(qū)N+和擴硼區(qū)P+為雙面一次擴散形成,陰、陽極歐姆接觸為鈦-鎳-金或鈦-鎳-銀。
2.一種16000A/200~400?V電焊機專用雪崩整流二極管的制造方法,其特征是:
采用電阻率ρn為5~10Ω-cm、直徑為70㎜、厚度0.17~0.19㎜的N型(100)徑向低阻單晶硅片;
硅片擴散,在1250℃下進行雙面一次擴散;
擴散片檢測,P+區(qū)表面濃度0.04~0.06mV/mA,結(jié)深XjP為78~82μm;N+區(qū)表面濃度0.06~0.08mV/mA,結(jié)深XjN為58~62μm,基區(qū)殘余少子壽命τp為9~13μS;
擴散片經(jīng)噴砂、清洗、脫水烘干后進行電子束多層金屬化蒸發(fā),實現(xiàn)陰、陽極歐姆接觸為鈦-鎳-金或鈦-鎳-銀;臺面噴砂造型,經(jīng)腐蝕、清洗、聚酰亞胺鈍化保護后,中間測試;?
將中間測試合格芯片,?裝入管殼內(nèi),進行充氮氣下冷壓接封裝,封裝后管子厚度5~6mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的16000A/200~400?V電焊機專用雪崩整流二極管的制造方法,其特征是:在硅片擴散時先將硅片清洗后擺放在硅舟上,在相鄰的單晶硅片之間交替放置N+、P+紙源片,在硅舟兩端放置硅襯墊,經(jīng)硅舟一端置放的彈簧將單晶硅片和紙源片壓緊后推入擴散爐中;當硅舟溫度至390-410℃時,紙源片燃燒并使硅片被壓得更緊,將硅舟從擴散爐中拉到爐口,小心取下彈簧,將硅舟再次推入擴散爐中恒溫區(qū)在1250℃下進行高溫擴散。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的16000A/200~400?V電焊機專用雪崩整流二極管的制造方法,其特征是:所述的鈦:鎳:金或鈦:鎳:銀厚度分別為?0.2μm:0.5μm:0.1μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的16000A/200~400?V電焊機專用雪崩整流二極管的制造方法,其特征是:陰極臺面噴砂造型角度為45~55°。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于錦州市雙合電器有限公司,未經(jīng)錦州市雙合電器有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910303951.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種多晶硅薄膜太陽能電池
- 下一篇:功率端子直接鍵合的功率模塊
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





