[發明專利]黃光發光二極管及發光裝置

無效

• 申請號: 200910301732.3
• 申請日: 2009-04-21
• 公開（公告）號: CN101872819A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 阿久津仲男;賴志銘
• 申請（專利權）人: 富士邁半導體精密工業（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種黃光發光二極管，以及具有該種黃光發光二極管的發光裝置。

背景技術

與傳統光源相比，發光二極管具有無汞、體積小、光學特性佳等優點。隨著發光二極管發光效率的不斷提升，越來越多的發光二極管被作為光源而采用。

目前常用的黃光二極管通常為磷化銦鎵鋁(Al_xIn_yGa_zP)發光二極管，該種黃光發光二極管的發光波長通常為560～590納米。然而，磷化銦鎵鋁(Al_xIn_yGa_zP)發光二極管晶粒的制造過程中，由于鋁、銦元素的摻雜，使得晶粒發光層的晶格與其他磊晶層和基板的晶格均不匹配，從而產生大量晶格缺陷，進而導致磷化銦鎵鋁(Al_xIn_yGa_zP)發光二極管晶粒的發光效率低下。另外，由于磷化銦鎵鋁(Al_xIn_yGa_zP)材料的耐高溫性能較差，環境溫度的變化使得磷化銦鎵鋁(Al_xIn_yGa_zP)發光二極管晶粒的色彩會發生較大偏移且發光效率較低，使得采用磷化銦鎵鋁(Al_xIn_yGa_zP)發光二極管晶粒的發光裝置的演色性較差。

有鑒于此，有必要提供一種色彩偏移小且發光效率高的黃光發光二極管。

發明內容

下面將以具體實施例說明一種色彩偏移小且發光效率高的黃光發光二極管

一種黃光發光二極管，其包括一個基座，一個發光二極管晶粒，一個熒光粉層以及一個封裝體，該發光二極管晶粒為氮化銦鎵鋁發光二極管晶粒且設置在該基座上；該熒光粉層的材質為釔鋁石榴石熒光粉，其分布在發光二極管晶粒出光路徑上且其厚度大于250微米；該封裝體包覆該發光二極管晶粒及熒光粉層。

一種發光裝置，其包括多個如上所述的黃光發光二極管以及多個藍光發光二極管，該藍光發光二極管與黃光發光二極管的數量比為2∶3。

一種發光裝置，其包括多個如上所述的黃光發光二極管、多個藍光發光二極管以及至少一個紅光發光二極管，該藍光發光二極管、黃光發光二極管及紅光發光二極管的數量比為2∶2∶1。

一種發光裝置，其包括多個如上所述的黃光發光二極管、多個藍光發光二極管、至少一個紅光發光二極管以及至少一個綠光發光二極管，該黃光發光二極管、藍光發光二極管、紅光發光二極管及綠光發光二極管的數量比為2∶2∶1∶1。

與現有技術相比，本發明所提供的黃光發光二極管，其采用的氮化銦鎵鋁發光二極管晶粒具有較低的熱敏感度，從而黃光發光二極管不會因為熱效應而發生較大的色彩偏移；其采用的釔鋁石榴石熒光粉層的黃光轉換效率高，從而黃光發光二極管具有較高的發光效率。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例所提供黃光發光二極管的結構示意圖。

圖2是本發明第二實施例所提供黃光發光二極管的結構示意圖。

圖3是本發明第三實施例所提供黃光發光二極管的結構示意圖。

圖4是本發明第四實施例所提供發光裝置的各色發光二極管排列結構示意圖。

圖5是本發明第五實施例所提供發光裝置的各色發光二極管排列結構示意圖。

圖6是本發明第六實施例所提供發光裝置的各色發光二極管排列結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明實施例作進一步詳細說明。

參見圖1，本發第一明實施例提供的黃光發光二極管10，其包括基座11，發光二極管晶粒12，熒光粉層13以及封裝體14。

該基座11可進一步包括用于收容發光二極管晶粒12的反射杯110，用于將入射至其上的光線反射向封裝體14。本實施例中，反射杯110包括用于收容發光二極管晶粒12的收容空間，該收容空間呈倒置的圓錐狀。

該發光二極管晶粒12為氮化銦鎵鋁(In_xGa_yAl_zN)發光二極管晶粒，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。該發光二極管晶粒12設置在基座11上，并位于反射杯110的收容空間底部。該發光二極管晶粒12用于發出波長位于紫外光波段至綠光波段的光。優選的，該發光二極管晶粒12的發光波長為260～500納米；更優選的，該發光二極管晶粒12的發光波長為380～480納米。