[發(fā)明專利]黃光發(fā)光二極管及發(fā)光裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910301732.3
• 申請日: 2009-04-21
• 公開（公告）號: CN101872819A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發(fā)明（設計）人: 阿久津仲男;賴志銘
• 申請（專利權(quán)）人: 富士邁半導體精密工業(yè)（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種黃光發(fā)光二極管，包括：

一個基座；

一個設置在該基座上的發(fā)光二極管晶粒，該發(fā)光二極管晶粒為氮化銦鎵鋁發(fā)光二極管晶粒；

一個位于發(fā)光二極管晶粒出光路徑上的熒光粉層，該熒光粉層的材質(zhì)為釔鋁石榴石熒光粉且該熒光粉層的厚度大于250微米；

一個封裝體，該封裝體包覆該發(fā)光二極管晶粒及熒光粉層。

2.如權(quán)利要求1所述的黃光發(fā)光二極管，其特征在于，該基底包括用于收容發(fā)光二極管晶粒的反射杯，該反射杯包括呈倒置圓錐狀的收容空間，該發(fā)光二極管晶粒設置在反射杯收容空間的底部，該熒光粉層設置在反射杯的頂端開口處，該熒光粉層與收容空間的底部表面平行，并遮蓋該反射杯的頂端開口。

3.如權(quán)利要求1所述的黃光發(fā)光二極管，其特征在于，該封裝體包括用于將其內(nèi)部的光輸出至外界的出光面，該基底包括用于收容發(fā)光二極管晶粒的反射杯，該反射杯包括用于收容發(fā)光二極管晶粒的收容空間，該發(fā)光二極管晶粒設置在反射杯收容空間的底部，該熒光粉層設置在反射杯的頂端開口處，該熒光粉層與封裝體的出光面平行并遮蓋該反射杯的頂端開口。

4.如權(quán)利要求1所述的黃光發(fā)光二極管，其特征在于，該熒光粉層任一處的厚度大于400微米。

5.如權(quán)利要求1所述的黃光發(fā)光二極管，其特征在于，該釔鋁石榴石熒光粉的光轉(zhuǎn)換波長范圍為560～590納米。

6.如權(quán)利要求1所述的黃光發(fā)光二極管，其特征在于，該氮化銦鎵鋁發(fā)光二極管晶粒的發(fā)光波長范圍260～500納米。

7.如權(quán)利要求6所述的黃光發(fā)光二極管，其特征在于，該氮化銦鎵鋁發(fā)光二極管晶粒的發(fā)光波長范圍380～480納米。

8.一種發(fā)光裝置，包括多個如權(quán)利要求1至7任一項所述的黃光發(fā)光二極管，以及多個藍光發(fā)光二極管，該藍光發(fā)光二極管與黃光發(fā)光二極管的數(shù)量比為2∶3。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該藍光發(fā)光二極管的發(fā)光波長范圍為420～480納米。

10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光裝置還包括至少一個紅光發(fā)光二極管，該藍光發(fā)光二極管、黃光發(fā)光二極管及紅光發(fā)光二極管的數(shù)量比為2∶2∶1。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光裝置還包括至少一個綠光發(fā)光二極管，該藍光發(fā)光二極管、黃光發(fā)光二極管、紅光發(fā)光二極管及綠光發(fā)光二極管的數(shù)量比為2∶2∶1∶1。