[發明專利]磁控濺射裝置

無效

• 申請號: 200910301434.4
• 申請日: 2009-04-08
• 公開（公告）號: CN101857951A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 裴紹凱;林后堯
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及磁控濺射技術，特別涉及一種磁控濺射裝置。

背景技術

所謂磁控濺射，是指在陰極(通常為靶材)與陽極(通常為安裝待鍍基片的基片安裝座或鍍膜腔體壁)之間加一個正交磁場和電場，在真空鍍膜腔體中充入所需要的惰性氣體(通常為氬氣)，在電場的作用下，氬氣電離成氬離子(帶正電荷)和電子，氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在待鍍基片上成膜。同時，氬離子在轟擊靶材時放出二次電子，二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶材表面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高。在電磁場的共同作用下，二次電子的運動軌跡為沿電場方向加速，同時繞磁場方向螺旋前進的復雜曲線，使得該二次電子的運動路徑變長，在運動過程中不斷與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終以極低的能量飛向待鍍基片，使得待鍍基片的升溫較低。

磁控濺射利用磁場束縛以延長二次電子的運動路徑，改變二次電子的運動方向，提高惰性氣體的電離率和有效利用電子的能量，從而提升濺鍍速率。可參閱I.Safi在2000年在Surface?&?Coating?Technology上發表的論文Recent?Aspects?Concerning?DC?Reactive?Magnetron?Sputtering?of?Thin?Film：a?Review。

目前，用于磁控濺射的磁控濺射靶由于其靶材利用率較低，因而靶材消耗很快需要經常更換，而更換靶材時會破壞鍍膜腔體內的真空環境，使得更換靶材后還需要對鍍膜腔體進行抽真空處理。然而，該二次抽真空處理過程既浪費了時間又浪費了生產成本，并且對于需濺鍍較厚薄膜或需濺鍍兩種不同材質薄膜的基片，該抽真空處理過程可能會使得前后鍍膜的質量不一致，前后膜層之間的粘著力下降，影響鍍膜基片的膜層質量。

因此，有必要提供一種無需二次抽真空處理即可實現靶材更換的磁控濺射裝置。

發明內容

下面將以具體實施例說明一種磁控濺射裝置。

一種磁控濺射裝置，包括一濺射腔體、設置在該濺射腔體內的濺射靶，該濺射靶包括：基座、固定于該基座的轉軸、多塊金屬板及多塊靶材，該多塊金屬板分別固設于該基座相對的兩表面，且每個金屬板具有一背離該基座的靶材固定面，該多塊靶材分別固設于一金屬板的靶材固定面上；該磁控濺射裝置還包括一轉動驅動裝置，該轉軸連接于該轉動驅動裝置從而該轉動驅動裝置可驅動該濺射靶以該轉軸為軸實現翻轉。

一種磁控濺射裝置，包括一濺射腔體、設置在其該濺射腔體內的多個濺射靶；每個濺射靶包括：基座、轉軸、兩塊金屬板及兩塊靶材，固定于該基座的轉軸，該兩塊金屬板分別固設于該基座相對的兩表面，且每個金屬板具有一背離該基座的靶材固定面，該兩塊靶材分別固設于一金屬板的靶材固定面上；該磁控濺射裝置還包括多個轉動驅動裝置，每個濺射靶的轉軸連接于相應的轉動驅動裝置從而該多個轉動驅動裝置可分別驅動相應的濺射靶以其轉軸為軸實現翻轉。

相對于現有技術，本技術方案的磁控濺射裝置利用驅動轉動裝置驅動濺射靶以固定連接于基座的轉軸為軸翻轉，使基座相對兩表面的金屬板上固設的靶材翻轉，從而使得其中一面的靶材消耗完后，可在不破壞鍍膜腔體真空環境的情況下，更換另一面的靶材繼續進行濺射鍍膜，該磁控濺射裝置無需二次抽真空處理即可實現靶材更換，節省操作時間的同時節省抽真空處理帶來的成本，并且可保證換靶前后鍍膜條件不變，從而使換靶前后濺鍍的膜層質量保持一致，前后膜層附著力較佳。

附圖說明

圖1是本技術方案第一實施例提供的磁控濺射裝置的示意圖。

圖2是本技術方案第一實施例提供的磁控濺射裝置的濺射靶的示意圖。

圖3是圖2的濺射靶的分解示意圖。

圖4是本技術方案第二實施例提供的磁控濺射裝置的濺射靶的示意圖。

圖5是本技術方案第三實施例提供的磁控濺射裝置的濺射靶的示意圖。

具體實施方式

下面將結合附圖和多個實施例對本技術方案的磁控濺射裝置作進一步詳細說明。

請參閱圖1至圖3，本技術方案第一實施例提供的磁控濺射裝置100，包括濺射腔體10、設置在該濺射腔體10內的濺射靶20、用于控制濺射靶20濺射速率的磁鐵30、用于驅動濺射靶20的轉動驅動裝置40、與濺射腔體10相連通的抽真空裝置50與氣體供應裝置60、設置在該濺射腔體10內與濺射靶20相對用于安裝待鍍基片72的基片座70、以及電源80。