[發明專利]一種低電位梯度氧化鋅壓敏電阻材料及其制備方法有效
| 申請號： | 200910273178.2 | 申請日： | 2009-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN101759431A | 公開（公告）日： | 2010-06-30 |
| 發明（設計）人： | 萬帥;劉文;呂文中;范桂芬 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學;深圳大學 |
| 主分類號： | C04B35/453 | 分類號： | C04B35/453;C04B35/622;H01C7/112 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電位 梯度 氧化鋅 壓敏電阻 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低電位梯度氧化鋅壓敏電阻材料，其特征在于：該壓敏電阻材 料是在ZnO-Bi2O3-TiO2系的壓敏電阻材料中添加鉍硼玻璃，所添加的鉍硼 玻璃與ZnO-Bi2O3-TiO2系的壓敏電阻材料的質量百分比為0.4～3％；
所述壓敏電阻材料的組分及含量為：
ZnO???92.5～95.9mol％；
Bi2O3?0.5～3mol％；
TiO2??0.4～2mol％；
Co2O3?0.1～2mol％；
MnCO3?0.2～2mol％；
Sb2O3?0.05～1mol％；
Cr2O3?0.1～1mol％；
所述鉍硼玻璃的組分和含量為：Bi2O3?30～70mol％，余量為B2O3。
2.一種權利要求1所述的低電位梯度氧化鋅壓敏電阻材料的制備方法， 其特征在于，該方法包括下述步驟：
(1)將Bi2O3和B2O3混合均勻，然后經過熔融、淬火、球磨、干燥和 過篩工藝獲得鉍硼玻璃；
(2)將鉍硼玻璃料添加到ZnO-Bi2O3-TiO2系的壓敏電阻材料中，然后 經過球磨、干燥、過篩工藝獲得壓敏電阻粉料；
(3)加壓成型；
(4)在850～950℃的溫度范圍內燒結成瓷。
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