[發(fā)明專利]一種p型填充式方鈷礦化合物熱電材料的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910272447.3 | 申請日: | 2009-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN101693962A | 公開(公告)日: | 2010-04-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐新峰;鄢永高;李涵;郭全勝;譚剛健;張清杰 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類號: | C22C12/00 | 分類號: | C22C12/00;C22C1/04;H01L35/18 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐萬榮 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 填充 式方鈷礦 化合物 熱電 材料 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于新能源材料領(lǐng)域,具體涉及一種填充式方鈷礦熱電化合物的制備方法。
背景技術(shù)
溫差發(fā)電是利用熱電轉(zhuǎn)換材料將熱能轉(zhuǎn)化為電能的全靜態(tài)直接發(fā)電方式,具有設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊、性能可靠、運(yùn)行時(shí)無噪聲、無磨損、無泄漏、移動靈活等優(yōu)點(diǎn),有微小溫差存在的情況下即可產(chǎn)生電勢,在軍事、航天、醫(yī)學(xué)、微電子領(lǐng)域具有重要的作用,隨著能源與環(huán)境問題的日益突出,溫差電池作為適應(yīng)范圍廣和符合環(huán)保的綠色能源技術(shù)吸引了越來越多的關(guān)注。
熱電材料的性能通過材料的無量綱熱電性能優(yōu)值ZT來衡量,ZT越高,一定溫差下材料的熱電轉(zhuǎn)換效率越高。ZT與材料電導(dǎo)率和Seebeck系數(shù)和熱導(dǎo)率有關(guān),好的熱電材料要求具有高的電導(dǎo)率和Seebeck系數(shù),同時(shí)具有低的熱導(dǎo)率。上世紀(jì)中葉,人們發(fā)現(xiàn)了以Bi2Te3、PbTe和SiGe為代表的低溫、中溫和高溫?zé)犭姴牧希篃犭姴牧线M(jìn)入商業(yè)化應(yīng)用,這些材料的ZT都接近1。然而此后近40年間尋找更好熱電性能材料的工作幾近停滯。上世紀(jì)80年代末期,美國JPL實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)了一種具有潛在應(yīng)用前景的AB3型(A=Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,而B=P,As,Sb)方鈷礦結(jié)構(gòu)化合物熱電材料,不久美國橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)一種填充式方鈷礦化合物L(fēng)aFe3CoSb12在800K時(shí)ZT達(dá)到0.9,幾乎同時(shí),美國JPL實(shí)驗(yàn)室報(bào)道另一種填充式方鈷礦化合物CeFe4Sb12在873K時(shí)ZT達(dá)到1.4。上述報(bào)道的方鈷礦化合物均為p型傳導(dǎo),而此后人們發(fā)現(xiàn)n型填充式方鈷礦化合物也具有較好的熱電性能,這些材料均為由Fe、Co、Ni和Sb組成的方鈷礦化合物,而由于制備成本和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的原因,由Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt和P、As形成的方鈷礦化合物很少被考慮。盡管后來涌現(xiàn)了多種具有前途的的新的熱電材料體系,但填充式方鈷礦化合物由于具有較好的熱電性能、高溫穩(wěn)定性以及良好的可加工性能而使其成為最有應(yīng)用前景的中高溫?zé)犭姴牧稀?/p>
填充式方鈷礦化合物具有較好的熱電性能與其晶體結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。未填充的方鈷礦化合物具有很好的電性能,但熱導(dǎo)率較高,其結(jié)構(gòu)中包含有Sb原子組成的二十面體空洞,這些空洞可接納外來金屬原子。研究表明,填充在方鈷礦化合物空洞結(jié)構(gòu)中的金屬原子和Sb原子形成弱鍵合而在空洞內(nèi)進(jìn)行擾動,這種擾動對聲子具有很強(qiáng)的散射能力,這使得填充式方鈷礦化合物在保持方鈷礦化合物優(yōu)異的電性能的同時(shí),又具有較低的熱導(dǎo)率,因而具有較好的綜合熱電性能。
目前制備填充式方鈷礦化合物都以單質(zhì)為原材料,在真空或氣氛的密閉環(huán)境下熔融后冷卻,然后再進(jìn)行熱處理得到最終所需產(chǎn)物。從相圖上看,從熔體冷卻形成方鈷礦需要經(jīng)歷兩個(gè)包晶反應(yīng)過程,因此熔體冷卻后的晶粒組織的尺度決定了形成方鈷礦的難易程度,即冷卻后的晶粒組織越細(xì)小,形成方鈷礦的溫度越低,時(shí)間越短。傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法需要在923K左右進(jìn)行7~10天的退火,制備周期長且能耗高,因而不適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。最近有人采用快冷工藝得到金屬塊(日本專利,專利號JP-A2002-26400),然后在873~1073K下退火5小時(shí)或更長時(shí)間來制備填充式方鈷礦化合物塊體材料。此方法退火時(shí)間大大縮短,但退火溫度仍然較高,且得到的塊體材料存在結(jié)構(gòu)和性能上的各向異性。為進(jìn)一步縮短制備周期,有人采用條鑄法,將熔體澆注在旋轉(zhuǎn)的水冷銅輥上,通過控制澆注量和銅輥轉(zhuǎn)速以獲得102~104K/s的冷卻速率,控制得到的條狀物的冷卻速率(700℃~500℃之間2℃/min),得到主相為填充式方鈷礦的條狀物,此方法獲得的條狀物中常常會存在少量的第二相FeSb2和Sb,使得熱電性能下降。由于這點(diǎn),該專利發(fā)明人后來又提出改進(jìn)的工藝,將得到的帶狀物研磨壓片后再進(jìn)行燒結(jié),燒結(jié)溫度953K~1193K,燒結(jié)時(shí)間為3h,這樣又使得制備周期延長。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制備周期短的p型填充式方鈷礦化合物熱電材料的制備方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種p型填充式方鈷礦化合物熱電材料的制備方法,其特征在于它包括如下步驟:
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