[發明專利]一種檢驗晶片對準的方法

有效

• 申請號: 200910261621.4
• 申請日: 2009-12-18
• 公開（公告）號: CN102103335A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 何如兵;陳鵬;吳廣州;張聰
• 申請（專利權）人: 和艦科技(蘇州)有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

技術領域

本發明涉及集成電路制造領域對晶片進行光刻的技術，特別是涉及一種檢驗晶片對準的方法。

背景技術

在集成電路制造領域，需要對晶片進行對準。目前常在晶片上形成平邊(flat)或V型切口(notch)，用來作為晶片對準的依據。在制造過程中，第一次對晶片的曝光尤其重要。由于沒有前層圖形，因此光刻機在曝第一層圖形時只能對準平邊或V型切口。如果光刻機對準晶片的能力不好，使得晶片旋轉角度過大，就對引起曝光的偏差。

現有的晶片對準過程如圖1所示，對于第一層的對準，以平邊或切口進行預先對準，然后對其曝光(exposure)。在具有前層圖形的后續對準中，首先也采用平邊或切口進行預先對準，然后搜索前層圖形的對準標記(mark)，進行整片性對準(g-EGA，globa-Enhanced?Global?Alignment)后，曝光形成下一圖形。

以目前常使用的Leica-INS3000機臺為例，晶片對準時曝光形成的圖形如圖2A所示，而對準不良時形成的圖形如圖2B所示。如果采用圖2B中的對準不良的晶片進行后續的制程，若再以圖中的V型切口為依據對準時，則會使得后層次圖形與第一層圖形之間無法對準，而影響晶片的良率。

圖3A為Leica-INS300機臺晶片對準時曝光形成的圖形，圖3B為對準不良時形成的圖形。Leica-INS300機臺在晶片對準不良時，其曝光圖形會有相應的偏移，同樣也可以造成后層次圖形與第一層圖形之間無法對準。

因此，為了避免因晶片對準不良而對良率產生的影響，有必要通過對晶片對準的準確性進行檢驗。

發明內容

本發明的目的在于提供一種檢驗晶片對準的方法，該方法能夠簡單而且精確地檢驗晶片對準的程度。

本發明檢驗晶片對準的方法，其特征在于包括：

步驟1：以對準正常的晶片為標準，在機臺中存儲該晶片的圖形信息，在該晶片上選取一個或多個檢驗點并在機臺內建立程序；

步驟2：根據在目鏡中觀察到的被測晶片在檢驗點的圖形，確定被測晶片的對準程度。

作為上述技術方案的優選，所述檢驗點包括有第一檢驗點和第二檢驗點。

作為上述技術方案的優選，所述第一檢驗點設置在晶片十點鐘方向，所述第二檢驗點設置在晶片兩點鐘方向。

作為上述技術方案的優選，所述檢驗點為十字型。

作為上述技術方案的優選，所述確定晶片的對準程度具體為：在目鏡下觀察十字型，若兩個檢驗點都能觀察到十字型的一半以上，則為對準晶片；若有至少一個檢驗點觀察不到十字型的一半以上，則為對準不良晶片。

作為上述技術方案的優選，所述目鏡的觀察倍率為500倍。

作為上述技術方案的優選，所述機臺為Leica-INS300機臺。

本發明以對準正常的晶片為標準，通過選擇幾個檢驗點的方式，能夠簡單而準備地確定被測晶片的對準情況。因而能在實際生產過程中提高晶片對準不良的早期判斷能力，為后續工藝提供了有利的基礎。

附圖說明

圖1是現有技術中對準晶片的流程圖；

圖2A和圖2B分別是在Leica-INS3000機臺中對準正常和對準不良的晶片圖；

圖3A和圖3B分別是在Leica-INS300機臺中對準正常和對準不良的晶片圖；

圖4是本發明一優選實施例檢驗點設定位置圖；

圖5A和圖5B是序號9的對準不良晶片的目鏡觀察示意圖；

圖6A和圖6B是序號10的對準不良晶片的目鏡觀察示意圖；

圖7A和圖7B是序號A的對準正常晶片的目鏡觀察示意圖；

圖8A和圖8B是序號B的對準正常晶片的目鏡觀察示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明的具體實施方式作進一步的詳細說明。對于所屬技術領域的技術人員而言，從對本發明的詳細說明中，本發明的上述和其他目的、特征和優點將顯而易見。

本發明優選實施例檢驗晶片對準的方法，首先找出對準正常的晶片，將該晶片的圖形信息存儲起來，即將原來的PRODUCT-ADI-ALL程序另存為PRODUCT-ADI-FIRST。同時在晶片中選取一個或多個檢驗點。作為優選，本實施例的第一檢驗點1選取在晶片十點鐘方向，在該方向選取一個完整的區域設點(Shot)，第二檢驗點2選取與第一檢驗點1平行方向相對應的位置，即在晶片兩點鐘方向，如圖4所示。本領域技術人員還可以根據應用的需要，任意選取其它可能的檢驗點，本發明并不受限于此。