[發明專利]半導體發光器件及具有該半導體發光器件的發光器件封裝

有效

• 申請號: 200910258875.0
• 申請日: 2009-12-29
• 公開（公告）號: CN101771125A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 樸炯兆
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

相關申請

根據35U.S.C.119和35U.S.C.365，本申請要求韓國專利申請 10-2008-00135989(2008年12月29日提交)的優先權，通過引用將其全 部內容并入本文。

技術領域

本發明涉及半導體發光器件以及具有該半導體發光器件的發光器件封 裝。

本發明涉及半導體發光器件及其制造方法。

背景技術

由于III-V族氮化物半導體的物理和化學特性，因而它們被認為是用 于發光器件例如發光二極管(LED)和激光二極管(LD)的芯材料。III-V 族氮化物半導體的一個實例是具有組成式為In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1， 0≤x+y≤1)的氮化物半導體。

LED是一種用作光源或者利用化合物半導體特性將電轉化為光或紫 外(UV)線以交換信號的半導體器件。

基于氮化物半導體的LED或LD廣泛用于發光器件，并且作為光源應 用于各種產品，例如移動電話的鍵盤發光單元、電光板和照明器件。

發明內容

本發明實施方案提供圓柱形半導體發光器件或具有圓化邊緣的半導體 發光器件以及具有該半導體發光器件的發光器件封裝。

本發明實施方案提供圓柱形半導體發光器件或具有至少一個圓化邊緣 的柱型半導體發光器件以及具有該半導體發光器件的發光器件封裝。

本發明實施方案提供通過圓柱形發光結構能夠改善遠場光束分布的半 導體發光器件以及具有該半導體發光器件的發光器件封裝。

一個實施方案提供一種半導體發光器件，包括：包括在外緣處具有圓 化側表面的多個化合物半導體層的發光結構；在所述發光結構上的第一電 極單元；和在所述發光結構下方的第二電極層。

一個實施方案提供一種半導體發光器件，包括：具有多個化合物半導 體層的圓柱形發光結構；在所述發光結構下方的多邊形第二電極層；在所 述發光結構上的第一電極墊；和沿著所述發光結構的上邊緣設置并且電連 接至所述第一電極墊的環型圖案。

一個實施方案提供一種發光器件封裝，包括：圓柱形發光器件，其包 括具有第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層的多個化合物 半導體層；在所述第二導電型半導體層下方的非球形第二電極層；和在所 述第一導電型半導體層上的第一電極單元；在頂部具有開口空腔的體單 元；和設置在所述體單元的空腔中并且電連接至所述第一電極單元和所述 第二電極層的多個引線電極。

在附圖和以下的詳細描述中詳細說明一個或多個實施方案。其它特征 通過描述和附圖以及權利要求而變得顯而易見。

附圖說明

圖1是根據實施方案1的半導體發光器件的側視截面圖。

圖2是圖1的半導體發光器件的立體圖。

圖3是圖1的半導體發光器件的平面圖。

圖4～6是說明制造根據實施方案1的半導體發光器件的工藝的截面 圖。

圖7～11是說明制造根據實施方案2的半導體發光器件的工藝的截面 圖。

圖12是根據實施方案3的半導體發光器件的立體圖。

圖13是圖12的半導體發光器件的平面圖。

圖14是根據實施方案4的半導體發光器件的截面圖。

圖15是根據實施方案5的發光器件封裝的立體圖。

圖16是說明圖15的發光器件封裝的另一實施方案的立體圖。

具體實施方式

現在將詳細說明本發明的實施方案，在附圖中對其實例進行說明。

在實施方案的描述中，各層的‘上’和‘下’是基于附圖來表述的。在附圖 中，各元件的尺寸可進行放大以清楚地說明，因此各元件的尺寸可與各元 件的實際尺寸不同。

在實施方案的描述中，應理解當層(或膜)、區域、圖案或結構稱為在 襯底、層(或膜)、區域、墊或圖案的“上/下”時，其可以直接在所述襯底、 層(或膜)、區域、墊或圖案上，或者也可存在中間層。

圖1是根據實施方案1的半導體發光器件的側視截面圖。圖2是圖1 的半導體發光器件的立體圖。圖3是圖1的半導體發光器件的平面圖。