[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件及具有該半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910258875.0 | 申請日： | 2009-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN101771125A | 公開（公告）日： | 2010-07-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樸炯兆 | 申請（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/24 | 分類號： | H01L33/24;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 具有 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
包括多個化合物半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)具有圓化側(cè)表面；
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極單元；
在所述化合物半導(dǎo)體層下的第二電極層，和
在所述第二電極層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域周圍的溝道層，
其中所述第一電極單元包括：
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極墊；
從所述第一電極墊分支的第一圖案；和
連接至所述第一圖案并具有圓形環(huán)的第二圖案，
其中所述第一電極單元的所述第二圖案相對于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述圓 化側(cè)表面間隔開基本相同的距離，以及
其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述圓化側(cè)表面通過所述溝道層與所述第二電極 層間隔開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括柱形 狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述溝道層包括SiO2、 SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2、ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、 IZTO(氧化銦鋅錫)、IAZO(氧化銦鋁鋅)、IGZO(氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AZO(氧化鋁鋅)、ATO(氧化銻錫)和GZO(氧化鎵 鋅)中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括III-V 族化合物半導(dǎo)體并且包括：在所述第一電極單元下的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層；在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下的有源層；和在所述有源層和所述第二 電極層之間的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：在所述第二導(dǎo)電型半 導(dǎo)體層和所述第二電極層之間的第三導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、非金屬層和歐姆層 中的至少一個。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一圖案從所述第 一電極墊向外分支成為至少一種形狀，并且所述第二圖案形成為圓形或者 形成為與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的外形相同的形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：在所述第二電極層下 的導(dǎo)電支撐構(gòu)件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)具有邊緣周 邊半徑為從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的中心至外側(cè)的圓的半徑的約1/2或更大。
9.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
包括多個化合物半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述多個化合物半導(dǎo)體層至少 包括有源層；
包括第一部分和第二部分的第二電極層，所述第一部分設(shè)置在所述有 源層的底表面之下，所述第二部分從所述第一部分朝向外橫向方向延伸， 使得所述有源層不形成在所述第二部分上；
在所述第二電極層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域周圍的溝道層，和
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極單元；
其中所述第一電極單元包括：
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極墊；
從所述第一電極墊分支的第一圖案；和
連接至所述第一圖案并具有圓形環(huán)的第二圖案，以及
其中所述第一電極單元的所述第二圖案相對于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述圓 化側(cè)表面間隔開基本相同的距離，
其中所述第二電極層的所述第二部分不與所述有源層垂直地交疊，以 及
其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述圓化側(cè)表面通過所述溝道層與所述第二電極 層間隔開。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)具有多邊 形的形狀，包括III-V族化合物半導(dǎo)體并且包括：在所述第一電極單元下 的N型半導(dǎo)體層；在所述N型半導(dǎo)體層下的有源層；和在所述有源層下的 P型半導(dǎo)體層。
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