[發明專利]像素結構

有效

• 申請號: 200910253586.1
• 申請日: 2009-12-03
• 公開（公告）號: CN101738805A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 柳智忠;黎昔耀
• 申請（專利權）人: 深超光電(深圳)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/528
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 丁建春;陳華

【技術領域】

本發明是有關于一種像素結構，且特別是有關于一種柵極-漏極寄生 電容恒定的像素結構。

【背景技術】

一般的薄膜晶體管液晶顯示器主要是由一薄膜晶體管陣列基板、一對 向基板以及一夾于前述二基板之間的液晶層所構成。薄膜晶體管陣列主要 包括多條掃描線、多條數據線，排列于掃描線與數據線間的薄膜晶體管陣 列以及與每一薄膜晶體管對應配置一像素電極(Pixel?Electrode)。而上述的 薄膜晶體管包括柵極、半導體層、源極與漏極，其用來作為液晶顯示單元 的開關元件。

薄膜晶體管陣列基板的制作過程通常包括多次的顯影及蝕刻步驟。在 一般的制造技術當中，柵極與掃描線是第一金屬層，源極、漏極與數據線 是第二金屬層。而且，在第一金屬層以及第二金屬層之間至少具有一層介 電層。薄膜晶體管的結構中，柵極與漏極至少有部分重疊，因此柵極與漏 極之間通常會存在所謂的柵極-漏極寄生電容(以下稱作Cgd)。

就液晶顯示器而言，施加在液晶電容Clc上的電壓與液晶分子的光穿 透率之間具有特定關系。因此，只要依據所要顯示的畫面來控制施加在液 晶電容Clc上的電壓，即可使顯示器顯示預定的畫面。但由于柵極-漏極 寄生電容Cgd的存在，液晶電容Clc上所保持的電壓將會隨著數據配線 上的信號變化而有所改變。此電壓變動量稱為饋通電壓(feed-through voltage)ΔVp，其可表示為公式(1)：

ΔVp＝[Cgd/(Clc+Cgd+Cst)](Vgon-Vgoff)(1)

其中Vgon-Vgoff為施加于掃描線上的脈沖電壓的振幅，而Cst為儲 存電容。

在目前的主動元件陣列制作過程中，機臺移動時的位移偏差量將導致 各個元件的相對位置有所差異。特別是，柵極與漏極的重疊面積不同時， 將使得柵極-漏極寄生電容Cgd不同。如此一來，不同顯示像素的具有不 同的饋通電壓ΔVp，進而在顯示過程中產生顯示亮度不均勻的問題。也 就是說，維持柵極-漏極寄生電容Cgd的恒定性，是主動元件陣列布局一 直想要達到的目標。

【發明內容】

本發明提供一種像素結構，在工藝誤差之下柵極-漏極寄生電容不會浮 動。

本發明提出一種像素結構，包括一掃描線、一數據線、一柵極、一半導 體層、一源極、一漏極、一延伸電極以及一像素電極。掃描線與數據線彼此交 錯并且電性絕緣。柵極電性連接至掃描線。半導體層位于柵極上方。源極與漏 極都至少位于半導體圖案上，且源極連接至數據線。漏極包括一接觸部、一電 極部以及一連接部。接觸部位于柵極之外，電極部位于半導體圖案上。連接部 由接觸部沿一方向延伸以連接至電極部并與柵極部分重疊。連接部具有一第一 寬度。延伸電極連接掃描線，且延伸電極的一末端沿上述方向指向半導體層并 與漏極重疊。延伸電極具有一第二寬度，且第一寬度實質上等于第二寬度。像 素電極連接漏極的接觸部。

在本發明的一實施例中，上述的像素結構更包括一半導體圖案。半導體 圖案例如配置于延伸電極與漏極之間且位于延伸電極與漏極重疊區域。

在本發明的一實施例中，上述的延伸電極遠離末端的一端連接于掃描線。 舉例而言，延伸電極的形狀可以為L形。另外，延伸電極實質上還可以為U 型。

在本發明的一實施例中，上述的漏極的電極部為一U型部，以圍繞源極， 且U型部具有一底部以及由底部兩端垂直延伸的兩分支。此時，漏極的連接部 連接U型部的底部或其中一該分支。

在本發明的一實施例中，上述的源極也可以為一U型源極，U型源極圍 繞漏極的電極部。當源極為U型源極時，漏極的電極部與連接部連接成一長條 圖案。

在本發明的一實施例中，上述的漏極更包括一凸出部，接觸部位于連 接部與凸出部之間，且凸出部平行上述方向而與延伸電極重疊。

在本發明的一實施例中，上述的漏極更包括一凸出部，平行柵極的邊 緣而不與閘極重迭，且凸出部連接于接觸部而與延伸電極重疊。

在本發明的一實施例中，上述的漏極為一體成型。

在本發明的一實施例中，上述的源極與數據線為一體成型。

在本發明的一實施例中，上述的柵極位于掃描線中。所以，延伸電極可 以連接柵極。

在本發明的一實施例中，上述的柵極由掃描線凸出。