[發明專利]像素結構

有效

• 申請號: 200910253586.1
• 申請日: 2009-12-03
• 公開（公告）號: CN101738805A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 柳智忠;黎昔耀
• 申請（專利權）人: 深超光電(深圳)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/528
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 丁建春;陳華

1.一種像素結構，包括：

一掃描線以及一數據線，彼此交錯并且電性絕緣；

一柵極，電性連接至該掃描線；

一半導體層，位于該柵極上方；

一源極，至少位于該半導體圖案上并連接至該數據線；

一漏極，至少位于該半導體圖案上，該漏極包括：一接觸部，位于該 柵極之外；一電極部，位于該半導體圖案上；一連接部，由該接觸部沿一 方向延伸以連接至該電極部并與該柵極部分重疊，且該連接部具有一第一 寬度；

一延伸電極，連接該掃描線，且該延伸電極的一末端沿該方向指向該 半導體層并與該漏極重疊，而該延伸電極具有一第二寬度，且該第一寬度 等于該第二寬度，并且該半導體層更配置于該延伸電極與該漏極之間且位 于該延伸電極與該漏極重疊區域；以及

一像素電極，連接該漏極的該接觸部。

2.如權利要求1所述的像素結構，其中該延伸電極遠離該末端的一 端連接于該掃描線。

3.如權利要求2所述的像素結構，其中該延伸電極的形狀為L形。

4.如權利要求2所述的像素結構，其中該延伸電極為U型。

5.如權利要求1所述的像素結構，其中該漏極的該電極部為一U型 部，以圍繞該源極，且該U型部具有一底部以及垂直于該底部延伸的兩 分支。

6.如權利要求5所述的像素結構，其中該漏極的該連接部連接該U 型部的該底部或其中一該分支。

7.如權利要求1所述的像素結構，其中該源極為一U型源極，U型 源極圍繞該漏極的該電極部。

8.如權利要求6所述的像素結構，其中該漏極的該電極部與該連接 部連接成一長條圖案。

9.如權利要求1所述的像素結構，其中該漏極更包括一凸出部，該 接觸部位于該連接部與該凸出部之間，且該凸出部平行該方向而與該延伸 電極重疊。

10.如權利要求1所述的像素結構，其中該漏極更包括一凸出部，平 行該柵極的邊緣而不與該閘極重迭，且該凸出部連接于該接觸部而與該延 伸電極重疊。

11.如權利要求1所述的像素結構，其中該漏極為一體成型。

12.如權利要求1所述的像素結構，其中該源極與該數據線為一體成 型。

13.如權利要求1所述的像素結構，其中該柵極位于該掃描線中。

14.如權利要求13所述的像素結構，其中該延伸電極連接該柵極。

15.如權利要求1所述的像素結構，其中該柵極由該掃描線凸出。