[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910253550.3
• 申請(qǐng)日: 2009-12-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101887867A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金祐贊;安炳喆;韓敞旭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 樂(lè)金顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/82
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/82;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);趙靜

本申請(qǐng)要求2009年5月12日在韓國(guó)提交的專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2009-0041245的優(yōu)先權(quán)，在此援引該專(zhuān)利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容作為參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本文件涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法。

背景技術(shù)

近來(lái)，正發(fā)展各種平板顯示裝置來(lái)減小重量和體積(現(xiàn)有陰極射線(xiàn)管(CRT)的缺點(diǎn))。這樣的平板顯示裝置包括液晶顯示器(LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)、和電致發(fā)光(EL)裝置等。

因?yàn)镻DP的制造工序簡(jiǎn)單且其非常輕、薄、短和小從而最有利于確保大尺寸屏幕，所以PDP作為顯示裝置受到大量關(guān)注，但其具有發(fā)光效率和亮度低且耗電多的缺點(diǎn)。薄膜晶體管(TFT)LCD是最常用的平板顯示裝置之一，但其具有視角窄和響應(yīng)速度慢的問(wèn)題。根據(jù)光發(fā)射層的材料，EL裝置分為無(wú)機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。其中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(自發(fā)光裝置)具有響應(yīng)速度快、發(fā)光效率和亮度高、以及視角寬的優(yōu)點(diǎn)。

有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有如圖1中所示的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。

OLED包括有機(jī)化合物層、以及彼此面對(duì)的陰極電極和陽(yáng)極電極，有機(jī)化合物層夾在陰極電極和陽(yáng)極電極之間。通過(guò)層疊電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、光發(fā)射層(EML)、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)，將有機(jī)化合物層形成為多層。當(dāng)給陽(yáng)極電極和陰極電極施加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，穿過(guò)HTL的空穴和穿過(guò)ETL的電子移動(dòng)到EML，從而形成激子(exciters)，結(jié)果使EML發(fā)射可見(jiàn)光。

在現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置中，通過(guò)如圖2中所示的熱蒸鍍(thermalevaporation)方法形成EML。為了進(jìn)行熱蒸鍍方法，需要容納R、G和B的EML材料的載器(boat)30、和用于引導(dǎo)從電阻加熱載器30轉(zhuǎn)移的EML材料從而使它們沉積在相應(yīng)位置處的金屬掩模20，由掩模框架25支撐的金屬掩模20排列在其上形成有薄膜晶體管(TFT)陣列15的基板10上。在現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置中，通過(guò)改變金屬掩模20的排列位置來(lái)沉積R，G和B?EML。

這種現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置制造方法具有下面的問(wèn)題。

第一，在現(xiàn)有技術(shù)的方法中，根據(jù)基板的尺寸確定金屬掩模的尺寸。隨著基板尺寸增加，金屬掩模的尺寸也不得不增加。隨著金屬掩模尺寸增加，掩模逐漸彎曲。因而，在使用金屬掩模的現(xiàn)有技術(shù)沉積方法中，很難對(duì)光發(fā)射層精確構(gòu)圖，不能應(yīng)付較大面積和較高清晰度(definition)。

第二，在現(xiàn)有技術(shù)的方法中，裝有光發(fā)射材料的載器與基板分開(kāi)一定距離并且該載器被加熱，然后光發(fā)射材料沉積在基板上，這導(dǎo)致延長(zhǎng)了形成光發(fā)射層的工序總累積時(shí)間(TACT)。隨著基板尺寸增加，基板與載器之間的距離(D)也不得不增加，以確保沉積在基板上的光發(fā)射層的均勻性，導(dǎo)致用于形成光發(fā)射層的腔室的尺寸增加。

發(fā)明內(nèi)容

本文件的一個(gè)方面是提供一種能精確構(gòu)圖光發(fā)射層以支持較大面積和較高清晰度的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。

本文件的另一個(gè)方面是提供一種能縮短形成光發(fā)射層的工序TACT和減小用于形成光發(fā)射層的腔室的尺寸的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法。

在一個(gè)方面中，一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括多個(gè)OLED，每個(gè)OLED都具有第一電極、第一相關(guān)層、光發(fā)射層、第二相關(guān)層和第二電極，所述方法包括：在受主基板上順次形成薄膜晶體管(TFT)陣列、所述第一電極、堤(bank)圖案和所述第一相關(guān)層；在施主基板上順次形成金屬圖案和有機(jī)光發(fā)射材料層；通過(guò)給所述金屬圖案施加電將所述有機(jī)光發(fā)射材料層轉(zhuǎn)移到所述受主基板上而形成所述光發(fā)射層；以及在形成有所述光發(fā)射層的所述受主基板上順次形成所述第二相關(guān)層和所述第二電極。

所述金屬圖案可由Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta其中之一形成或者由其中兩種或更多種的合金形成，并根據(jù)所述受主基板的將要形成所述光發(fā)射層的像素位置而被構(gòu)圖。

所述金屬圖案的寬度可以小于或等于像素寬度與堤圖案寬度之和。

形成所述光發(fā)射層可以在真空或惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行。

可以在0.1μs到1s的范圍內(nèi)以0.1W/cm²～10000W/cm²的功率密度施加一次或幾次電。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法可以進(jìn)一步包括：在形成所述有機(jī)光發(fā)射材料層之前，在所述金屬圖案上形成電絕緣層。