[發(fā)明專利]DDR型沸石膜結(jié)構(gòu)體的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910253517.0 | 申請日： | 2009-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN101745319A | 公開（公告）日： | 2010-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 內(nèi)川哲哉;谷島健二;野中久義;富田俊弘 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號： | B01D71/02 | 分類號： | B01D71/02 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | ddr 型沸石 膜結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種DDR型沸石膜結(jié)構(gòu)體的制造方法，其包括膜形成工序和燃燒工序，得到具有相對于二氧化碳(CO2)和甲烷(CH4)的混合氣體的分離系數(shù)為10以上的分離性能的DDR型沸石膜結(jié)構(gòu)體；
在所述膜形成工序中，在含有1-金剛烷胺、二氧化硅(SiO2)和水的原料溶液中，浸漬在表面附著有DDR型沸石膜種晶的多孔質(zhì)基體來進(jìn)行DDR型沸石的水熱合成，由該水熱合成在多孔質(zhì)基體表面形成含有1-金剛烷胺的DDR型沸石膜，來制作DDR型沸石膜結(jié)構(gòu)體的母體；
在所述燃燒工序中，通過在400℃以上550℃以下加熱所述母體，燃燒除去含在所述DDR型沸石膜內(nèi)的1-金剛烷胺。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DDR型沸石膜結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，在所述燃燒工序中，所述母體在400℃以上不到450℃，加熱100小時以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DDR型沸石膜結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，通過在所述燃燒工序中，將所述母體在450℃以上550℃以下，加熱50小時以上，
得到具有相對于二氧化碳(CO2)和甲烷(CH4)的混合氣體的分離系數(shù)為10以上且二氧化碳(CO2)的透過速度為200nmol/sec·m2·Pa以上的分離性能的所述DDR型沸石膜結(jié)構(gòu)體。
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