[發明專利]有機發光顯示設備及其制造方法有效
| 申請號: | 200910252840.6 | 申請日: | 2009-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN101764090A | 公開(公告)日: | 2010-06-30 |
| 發明(設計)人: | 李敬勛;樸鐘賢;樸泰翰;鄭賢哲;柳東熙 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/82 | 分類號: | H01L21/82;H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
1.一種用于制造有機發光顯示設備的方法,該方法包括以下步驟:
制備具有以矩陣形式限定的多個像素區的基板;
在各個像素區中設置陽極;
通過溶解工藝在陽極上形成空穴注入層;
通過溶解工藝在所述空穴注入層上形成具有70°或更大的水接觸角 和疏水特性的中間層;
對所述中間層進行選擇性的UV照射,以在所述中間層上限定親水 區;
通過溶解工藝在除了UV照射部分之外的所述中間層的疏水區中形 成發光層;以及
在具有所述發光層的所述基板上設置陰極。
2.一種用于制造有機發光顯示設備的方法,該方法包括以下步驟:
制備具有以矩陣形式限定的多個像素區的基板;
在各個像素區中設置陽極;
通過溶解工藝在陽極上形成空穴注入層;
通過溶解工藝在所述空穴注入層上形成具有70°或更大的水接觸角 和疏水特性的中間層;
對所述中間層進行選擇性的UV照射以對所述中間層進行親水處理, 從而在所述中間層的UV照射部分處具有小于70°的水接觸角;
在除了所述UV照射部分之外的所述中間層的疏水區中形成發光層; 以及
在具有所述發光層的所述基板上設置陰極。
3.根據權利要求2所述的方法,其中形成所述中間層的步驟包括以 下步驟:將具有所述陽極和所述空穴注入層的所述基板浸入到中間層材 料中,或者,通過從由旋涂、滾印、狹縫涂敷、噴嘴涂敷和噴墨構成的 組中選擇的至少一種方式,將所述中間層材料涂到具有所述陽極和所述 空穴注入層的所述基板的頂部。
4.根據權利要求2所述的方法,其中形成所述發光層的步驟包括以 下步驟:將具有所述陽極、所述空穴注入層以及所述中間層的所述基板 浸入到發光材料中,或者,通過從由旋涂、滾印、狹縫涂敷、噴嘴涂敷 和噴墨構成的組中選擇的至少一種方式,將所述發光材料涂到具有所述 陽極、所述空穴注入層以及所述中間層的所述基板的頂部。
5.根據權利要求2所述的方法,該方法還包括以下步驟:在形成所 述發光層之后,通過從由浸入、旋涂、噴嘴涂敷、狹縫涂敷、滾印、噴 墨和蒸發沉積構成的組中選擇的至少一種方式,在所述發光層的頂部上 形成電子傳輸層。
6.根據權利要求2所述的方法,其中所述中間層由表現出UV吸收 或光解性能的材料構成。
7.根據權利要求2所述的方法,其中所述中間層包含具有從C-C, C=N,C=C,Si-O,C-O,和C=O中選擇的至少一種鍵的有機物質。
8.根據權利要求7所述的方法,其中所述中間層包含從由酰亞胺基、 胺基、硅烷基、碳酸酯基、酯基、醋酸酯基、磺酸酯基、硝酸酯基、酮 基、氟基、氧雜環丁烷基、和環氧基構成的組中選擇的至少一種官能團。
9.根據權利要求8所述的方法,其中所述中間層包含三苯胺。
10.根據權利要求2所述的方法,其中以150到260nm的波長進行 所述UV照射。
11.根據權利要求2所述的方法,其中UV照射的壓力的范圍為1 ×10-5托到800托。
12.一種用于制造有機發光顯示設備的方法,該方法包括以下步驟:
制備具有以矩陣形式限定的多個像素區的基板;
在各個像素區中設置陽極;
通過溶解工藝在陽極上形成空穴注入層;
通過溶解工藝在所述空穴注入層上形成具有70°或更大的水接觸角 和疏水特性的中間層;
對所述中間層進行選擇性的UV照射以對其構圖;
通過溶解工藝在除了UV照射部分之外的構圖后的中間層的疏水區 中形成發光層;以及
在具有所述發光層的所述基板上設置陰極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





