[發明專利]像素結構

有效

• 申請號: 200910249590.0
• 申請日: 2009-12-30
• 公開（公告）號: CN101738804A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 蔡孟哲;陳東煌
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/528
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

技術領域

本發明是有關于一種像素結構，且特別是有關于一種將同一像素中的不同子像素的儲存電容設計于同一區域的像素結構。

背景技術

隨著電腦性能的大幅進步以及網際網路、多媒體技術的高度發展，視頻或影像裝置的體積日漸趨于輕薄。在顯示器的發展上，隨著光電技術與半導體制造技術的進步，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場的主流。

隨著顯示面板的發展，近年來一種被稱為半源極驅動(half?source?driving，以下簡稱為HSD)架構的液晶顯示面板被提出。半源極驅動架構可以使得數據線的數目減半，所以源極驅動器(source?driver)的價格也會相對地降低。

圖1為現有一種液晶顯示面板的像素結構的示意圖，其中像素結構100是以半源極驅動的架構來布局。請參照圖1，像素結構100是與對應的掃描線120以及數據線130電性連接，并且像素結構100主要由一個與掃描線120以及數據線130連接的薄膜晶體管140、一個與薄膜晶體管140對應配置的像素電極150、以及一個儲存電容160所組成。薄膜晶體管140用來作為像素結構100的開關元件，而儲存電容160用以在像素結構100的關閉時間內，用以保持像素電極150上的數據電壓，使其較不易受周圍電場的影響而波動，以維持液晶顯示面板的顯示品質。

一般而言，為了提高液晶顯示面板上的像素結構的電壓保持率，通常藉由增加電容電極的面積來提高儲存電容的電容值。然而，增加電容電極面積的方式雖可提升像素結構中儲存電容的電容值，但卻會降低此像素結構的開口率，導致顯示亮度降低。因此，如何在像素結構的儲存電容與開口率之間取得平衡，實為目前像素結構亟待克服的課題之一。

發明內容

本發明提供一種像素結構，其可將儲存電容單位面積的儲存電容量提升，如此可縮小儲存電容器所占用的面積，進而增加像素結構的開口率。

本發明提出一種像素結構，設置于一基板上，以于基板上定義出復數個像素區，每一像素區具有一第一子像素區以及一第二子像素區，且第二子像素區具有一第一共用電容區。此像素結構包括一第一掃描線、一第二掃描線、一第一數據線以及一第二數據線、一共用配線、一第一像素單元以及一第二像素單元。共用配線越過第一子像素區與第二子像素區，且共用配線具有一設置于第一共用電容區的第一共用電極部。第一像素單元包括一第一主動元件、一第一電容電極以及一第一像素電極，其中第一主動元件電性連接于第一掃描線以及第一數據線，第一像素電極位于第一子像素區內，并與第一主動元件電性連接，第一電容電極配置于共用配線的下方，并與第一主動元件電性連接，且第一電容電極包括第一電容電極部以及第一延伸電極部，其中第一像素電極經由第一電容電極部而與第一主動元件連接，且第一延伸電極部自第一電容電極部延伸至第一共用電容區，使得第一延伸電極部與第一共用電極部重迭構成一第一延伸電容。另外，第二像素單元包括一第二主動元件以及一第二像素電極，其中第二主動元件電性連接于第二掃描線以及第二數據線，第二像素電極位于第二子像素區內，并與第二主動元件電性連接，第二像素電極與第一共用電極部重迭構成一第二儲存電容，且第二儲存電容與第一延伸電容堆迭地設置于第二子像素區的第一共用電容區中。

在本發明的一實施例中，上述的第一電容電極部例如更設置于第一子像素區與第二子像素區之間，使得第一電容電極部與共用配線之間構成一第三儲存電容。

在本發明的一實施例中，在上述的第一共用電容區中，第一共用電極部例如位于第二像素電極與第一延伸電極部之間。

在本發明的一實施例中，上述的像素結構更包括一電性連接于共同配線的第一輔助電極，第一輔助電極位于第一共用電容區中，且位于第一電容電極下方，第一輔助電極與第一延伸電極部之間構成一第一輔助電容。

在本發明的一實施例中，上述的像素結構還可以進一步包括一第二共用電容區，其中第二共用電容區位于第一子像素區中。此時，共用配線例如具有一延伸至第二共用電容區的第二共用電極部，并且第二像素單元具有一第二電容電極，其中第二電容電極與第一電容電極為同一膜層。具體而言，第二電容電極包括一第二電容電極部以及一第二延伸電極部，其中第二像素電極經由第二電容電極部而與第二主動元件連接，第二延伸電極部自第二電容電極部延伸至第二共用電容區，使得第二延伸電極部與第二共用電極部之間構成一第四延伸電容。