[發明專利]像素結構

有效

• 申請號: 200910249590.0
• 申請日: 2009-12-30
• 公開（公告）號: CN101738804A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 蔡孟哲;陳東煌
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/528
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種像素結構，設置于一基板上，以于所述基板上定義出復數個像素區，且每一所述像素區具有一第一子像素區以及一第二子像素區，所述第二子像素區具有一第一共用電容區，所述像素結構包括：

一第一掃描線、一第二掃描線、一第一數據線以及一第二數據線；

一共用配線，越過第一子像素區與所述第二子像素區，且所述共用配線具有一第一共用電極部，設置于所述第一共用電容區；

一第一像素單元，包括一第一主動元件、一第一電容電極以及一第一像素電極，其中所述第一主動元件電性連接于所述第一掃描線以及所述第一數據線，所述第一像素電極位于所述第一子像素區內，電性連接所述第一主動元件，所述第一電容電極配置于所述共用配線的下方，電性連接所述第一主動元件，且所述第一電容電極包括：

一第一電容電極部，所述第一像素電極經由所述第一電容電極部而與所述第一主動元件連接；以及

一第一延伸電極部，自所述第一電容電極部延伸至所述第一共用電容區，使得所述第一延伸電極部與所述第一共用電極部重迭構成一第一延伸電容；

一第二像素單元，包括一第二主動元件以及一第二像素電極，其中所述第二主動元件電性連接于所述第二掃描線以及所述第二數據線，所述第二像素電極位于所述第二子像素區內，并與所述第二主動元件電性連接，所述第二像素電極與所述第一共用電極部重迭構成一第二儲存電容，且所述第二儲存電容與所述第一延伸電容堆迭地設置于所述第二子像素區的所述第一共用電容區中。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一電容電極部設置于所述第一子像素區與所述第二子像素區之間，且所述第一電容電極部與所述共用配線之間構成所述第一像素單元的一第三儲存電容。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，在所述第一共用電容區中，所述第一共用電極部位于所述第二像素電極與所述第一延伸電極部之間。

4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構更包括一第一輔助電極，電性連接所述共同配線，位于所述第一共用電容區中，且位于所述第一電容電極下方，所述第一輔助電極與所述第一延伸電極部之間構成一第一輔助電容。

5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構更包括一第二共用電容區，位于所述第一子像素區中，所述共用配線具有一延伸至所述第二共用電容區的第二共用電極部，其中所述第二像素單元具有一第二電容電極，且所述第二電容電極與所述第一電容電極為同一膜層，其中所述第二電容電極包括：

一第二電容電極部，所述第二像素電極經由所述第二電容電極部而與所述第二主動元件連接；以及

一第二延伸電極部，自所述第二電容電極部延伸至所述第二共用電容區，使得所述第二延伸電極部與所述第二共用電極部之間構成一第四延伸電容。

6.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，在所述第二共用電容區中，所述第二共用電極部與所述第一像素電極之間構成所述第一像素單元的一第五儲存電容，且所述第一像素單元的所述第五儲存電容堆迭于所述第二像素單元的所述第四延伸電容上。

7.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述第二電容電極設置于所述第一子像素區與所述第二子像素區之間，且所述第二電容電極部與所述共用配線之間構成一第六儲存電容。

8.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，在所述第二共用電容區中，所述第二共用電極部位于所述第一像素電極與所述第二延伸電極部之間。

9.如權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構更包括一第二輔助電極，電性連接所述共同配線，位于所述第二共用電容區中，且位于所述第二電容電極下方，所述第二輔助電極與所述第二延伸電極部之間構成一第二輔助電容。

10.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一主動元件與所述第二主動元件分設于所述像素區的對角線處。