[發明專利]半導體元件及其制作方法

無效

• 申請號: 200910246925.3
• 申請日: 2009-12-01
• 公開（公告）號: CN101714540A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發明（設計）人: 資重興
• 申請（專利權）人: 杰群科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/29;H01L21/60;H01L21/607
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種半導體元件，其特征在于包括有：

一導電架；

一晶粒，設置在該導電架上；及

一粘合層，設置在該導電架及該晶粒之間，其中該粘合層內包括有鋁。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于包括有一金屬層設置在該導電架及該粘合層之間。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于包括有一背金屬層設置在該晶粒及該粘合層之間。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于包括有一背金屬層設置在該晶粒及該粘合層之間。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于該晶粒包括有一主動表面及一背表面，并將一焊墊及一焊球依序設置在該主動表面上。

6.如權利要求5所述的半導體元件，其特征在于包括有一焊線連接該焊球。

7.一種半導體元件，其特征在于包括有：

一基板；

一晶粒，設置在該基板上；及

一粘合層，設置在該基板及該晶粒之間，其中該粘合層內包括有鋁。

8.如權利要求7所述的半導體元件，其特征在于包括有一金屬層設置在該基板及該粘合層之間。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其特征在于包括有一背金屬層設置在該晶粒及該粘合層之間。

10.如權利要求7所述的半導體元件，其特征在于包括有一背金屬層設置在該晶粒及該粘合層之間。

11.一種半導體元件的制作方法，其特征在于包括有以下步驟：

在一基板或一導電架上形成一粘合層，其中該粘合層內包括有鋁；及

將一晶粒設置在該粘合層上。

12.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于該粘合層是由一電鍍技術或一超音波接合技術所形成。

13.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于該晶粒透過一超音波接合技術與該粘合層相連接。

14.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于包括有以下步驟：在該粘合層及該導電架或該基板之間形成一金屬層。

15.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于包括有以下步驟：在該粘合層及該晶粒之間形成一背金屬層。

16.一種半導體元件的制作方法，其特征在于包括有以下步驟：

在一晶粒上形成一粘合層，其中該粘合層內包括有鋁；及

將該粘合層與一導電架或一基板連接。

17.如權利要求16所述的制作方法，其特征在于該粘合層是由一電鍍技術或一超音波接合技術所形成。

18.如權利要求16所述的制作方法，其特征在于該粘合層透過一超音波接合技術與該導電架或該基板相連接。

19.如權利要求16所述的制作方法，其特征在于包括有以下步驟：在該粘合層及該導電架或該基板之間形成一金屬層。

20.如權利要求16所述的制作方法，其特征在于包括有以下步驟：在該粘合層及該晶粒之間形成一背金屬層。