[發明專利]半導體發光器件

有效

• 申請號: 200910246326.1
• 申請日: 2009-11-25
• 公開（公告）號: CN101740696A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

相關申請

根據35U.S.C.119和35U.S.C.365，本申請要求2008年11月25日 提交的韓國專利申請10-2008-0117581的優先權，通過引用將其全部內容 并入本文。

技術領域

本發明涉及半導體發光器件。

背景技術

由于III-V族氮化物半導體極好的物理和化學性能，因此作為用于發 光器件例如發光二極管(LED)、激光二極管(LD)等的芯材料而受到極 大關注。III-V族氮化物半導體包括化學式為In_xAl_yGa_1-x-yN(其中0≤x≤1， 0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導體材料。

LED是通過使用化合物半導體的特性來將電轉化為紅外線或者光從 而發射與接收信號的半導體器件，或者是用作光源的半導體器件。

由氮化物半導體材料制成的LED或者LD廣泛地用于發光器件以獲得 光，并且用作各種產品例如移動式電話的鍵盤的發光部分、電布告牌和照 明器件的光源。

發明內容

實施方案提供一種半導體發光器件，包括在其上方的p-型半導體層和 在其下方的導電支撐構件。

實施方案提供一種半導體發光器件，包括N-型半導體層，在N-型半導 體層周圍暴露出其上部。

一個實施方案提供一種半導體發光器件，包括：導電支撐構件；在所 述導電支撐構件上的N-型半導體層，在所述N-型半導體層上的有源層， 和在所述有源層上的P-型半導體層；在所述P-型半導體層上的歐姆接觸 層；和在所述歐姆接觸層上的電極。

一個實施方案提供一種半導體發光器件，包括：反射電極層；在所述 反射電極層上的N-型半導體層，在所述N-型半導體層上的有源層，和在 所述有源層上的P-型半導體層；在所述P-型半導體層上的歐姆接觸層；和 在所述歐姆接觸層上形成的多個粗糙結構，其中所述粗糙結構由與所述歐 姆接觸層不同的材料形成。

一個實施方案提供一種半導體發光器件，包括：反射電極層；N-型半 導體層，N-型半導體層包括在所述反射電極層上形成的第一部分和在所述 第一部分上形成的第二部分，其中所述第二部分的尺寸小于第一部分的尺 寸；在所述N-型半導體層的第二部分上的有源層；在所述有源層上的P- 型半導體層；在所述P-型半導體層上的歐姆接觸層；在所述歐姆接觸層上 形成并由與所述歐姆接觸層不同的材料形成的多個粗糙結構；和與所述歐 姆接觸層和所述P-型半導體層中的至少一個相接觸的電極。

在附圖和以下的描述中闡述一個或多個實施方案的細節。通過說明書 和附圖以及通過權利要求使其它特征變得顯而易見。

附圖說明

圖1是根據一個實施方案的半導體發光器件的截面圖。

圖2～11是說明根據一個實施方案制造半導體發光器件的工藝的視 圖。

具體實施方式

以下，參考附圖描述實施方案。在實施方案的描述過程中，附圖中各 層的厚度僅僅為一個實例，而不限于此。另外，關于各層的“上/上方”或“下 /下方”的定義將參考附圖進行描述。

在實施方案的描述中，應理解，當層(或膜)、區域、圖案或者結構稱 為在另一層(或膜)、區域、墊或圖案“上/上方”或者“下/下方”時，“上 /上方”和“下/下方”包括“直接地”和“間接地”兩種含義。此外，將 基于附圖描述關于各層的“上/上方”和“下/下方”。

圖1是根據一個實施方案的半導體發光器件的截面圖。

參考圖1，半導體發光器件100包括：導電支撐構件103、電極層105、 N-型半導體層110、有源層120、P-型半導體層130、歐姆接觸層140、粗 糙結構150和電極160。

導電支撐構件103用作基礎襯底，并可使用Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W 或者由Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、Ga₂O₃、SiGe和GaN形成的載體晶 片來實現。導電支撐構件103可使用電鍍方法形成或者可具有片狀，但是 不限于此。導電支撐構件103的厚度可為約30μm～約150μm，但是不限 于此。