[發明專利]半導體發光器件

有效

• 申請號: 200910246326.1
• 申請日: 2009-11-25
• 公開（公告）號: CN101740696A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種半導體發光器件，包括：

導電支撐構件；

在所述導電支撐構件上的N-型半導體層；

在所述導電支撐構件和所述N-型半導體層之間的電極層；

在所述N-型半導體層上的有源層；

在所述有源層上的P-型半導體層；

在所述P-型半導體層上的歐姆接觸層；和

在所述歐姆接觸層上的電極，

其中所述N-型半導體層包括在所述N-型半導體層外周邊周圍暴露的 上部，其中所述N-型半導體層的所述上部的表面包括Ga-面表面，

其中所述電極與所述歐姆接觸層和所述P-型半導體層的至少之一相 接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述電極與所述P-型半 導體層、所述歐姆接觸層和形成在所述歐姆接觸層上的粗糙結構中的至少 兩個接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述電極層包括ITO、 Ir、Ru、Mg、Zn、Au、Hf、Cr、Ni、Ti、Al、Ag、Pd、Rh、Pt、Ag-Cu、 Ag-Pd-Cu和AI-Cu中的一種或者這些物質的選擇性組合。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體發光器件，其中所述歐姆 接觸層包括至少一層或者圖案。

5.根據權利要求1或3所述的半導體發光器件，包括設置在所述歐姆接 觸層上的多個粗糙結構，所述粗糙結構由折射率低于GaN或者ITO的折 射率的材料形成。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體發光器件，其中所述電極 層是反射電極層，并且在所述電極層和所述N-型半導體層之間包括具有至 少一層或者多個圖案的歐姆接觸層。

7.根據權利要求5所述的半導體發光器件，其中所述粗糙結構包含 Al₂O₃、SiO₂、NaF和MgO中的至少一種，并且由與所述歐姆接觸層不同 的材料形成。

8.根據權利要求5所述的半導體發光器件，所述粗糙結構具有1.0μm的 厚度和小于5μm的間隔。

9.一種半導體發光器件，包括：

反射電極層；

在所述反射電極層下的導電支撐構件；

在所述反射電極層上的N-型半導體層；

在所述N-型半導體層上的有源層；

在所述有源層上的P-型半導體層；

在所述P-型半導體層上的歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上的電極，和

在所述歐姆接觸層上形成的多個粗糙結構，其中所述粗糙結構由與所 述歐姆接觸層不同的材料形成，

其中所述N-型半導體層包括在所述N-型半導體層的周邊周圍暴露出 的上部的Ga-面表面，

其中所述導電支撐構件和所述反射電極層由金屬材料形成，

其中所述電極與所述歐姆接觸層和所述P-型半導體層的至少之一相 接觸。

10.根據權利要求9所述的半導體發光器件，其中所述電極與所述P-型半 導體層、所述歐姆接觸層和所述粗糙結構中的至少兩個接觸。

11.根據權利要求9或10所述的半導體發光器件，其中所述N-型半導體 層的厚度厚于所述P-型半導體層的厚度。

12.根據權利要求9或10所述的半導體發光器件，其中在所述反射電極層 和所述N-型半導體層之間形成層或者圖案，其中所述層或者圖案由ITO、 氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵 鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銻錫(ATO)、 氧化鎵鋅(GZO)、SiO₂、Si₃N₄、SiO_x、SiN_x、Al₂O₃和TiO₂中的至少一 種形成。