[發明專利]一種降低硅基薄膜電池串聯電阻的工藝

無效

• 申請號: 200910238575.6
• 申請日: 2009-11-25
• 公開（公告）號: CN101707229A
• 公開（公告）日: 2010-05-12
• 發明（設計）人: 李寶勝;羅小平;張發榮
• 申請（專利權）人: 新奧光伏能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京連城創新知識產權代理有限公司 11254
• 代理人: 劉伍堂

技術領域

本發明屬于半導體太陽能薄膜電池加工領域，特別涉及一種降低硅基薄膜電池串聯電阻的加工工藝。

背景技術

硅基薄膜太陽能電池在生產過程中需要嚴格的潔凈空間，這樣才能保證膜層不受到外界污染。但是，背電極在制備過程前，由于激光劃線和工廠環境以及反應室污染會產生一定數量的殘渣和灰塵顆粒，造成新裸露出來的TCO膜層不能很好的有背電極接觸，從而加大了串聯電阻。這樣，電池的效率就會大打折扣，導致整個太陽能電池性能低下。

現有的PVD工序鍍制背電極時，沒有對前道工序進行處理。這樣，LASER2劃線之后新裸露出來的TCO膜層不僅會受到空氣中的殘渣和灰塵顆粒影響，還會被空氣中的水氣以及其它氣體污染。當PVD鍍制AZO(GZO)/Ag背電極時，這樣AZO膜層就與受到污染的TCO接觸，形成了較大的串聯電阻。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種降低硅基薄膜電池串聯電阻的加工工藝。

本發明在現有PVD工序前，對激光劃線后的TCO薄膜進行清洗工序或者等離子轟擊工序或者先后執行上述兩種工序。

所述對TCO薄膜進行清洗可以是純水清洗或清洗液清洗或酸性液體清洗或純水加毛刷清洗或清洗液加毛刷清洗或其中幾種方法的結合。

通過對TCO薄膜的清洗可以減小激光劃線之后新裸露出來的TCO膜層受到空氣中的殘渣和灰塵顆粒影響，還會減少空氣中的水氣以及其它氣體的污染。

所述對TCO薄膜進行等離子轟擊是指在鍍制背電極(如沉積AZO/Ag)之前，使用PVD設備里加入的離子轟擊裝置，對TCO薄膜進行離子轟擊。

通過離子轟擊工序，可以在TCO薄膜表面產生絨面，增加TCO與后續金屬層的接觸面積，使TCO薄膜可以與背電極(比如AZO(GZO)/Ag)接觸，從而減小串聯電阻。

附圖說明

圖1為本發明流程圖

圖2為本發明所述離子轟擊示意圖

具體實施方式

下面通過具體實施例對本發明進行進一步說明。

經過激光劃線后的TCO薄膜表面會有一定數量的殘渣和灰塵顆粒，造成新裸露出來的TCO膜層不能很好的有背電極接觸。

在TCO薄膜進入PVD裝置前，用酸性清洗液并使用毛刷對TCO薄膜進行清洗，清除表面的殘渣和灰塵顆粒。

如圖2所示，在PVD裝置中加入離子源轟擊裝置1，TCO薄膜經過傳送帶在PVD裝置中進行AZO/Ag沉積之前，先通過離子源轟擊裝置1。離子源轟擊裝置1發射出的等離子對清洗過后的TCO薄膜進行轟擊，是裸露的TCO膜層產生絨面，增加TCO與后續沉積金屬層的接觸面積，從而減小接觸電阻，降低電池的串聯電阻。

經過離子轟擊后的TCO薄膜在PVD裝置中經過AZO源2和Ag源3進行AZO/Ag沉積。

上述對TCO薄膜的清洗工序中還可以是純水清洗或清洗液清洗或酸性液體清洗或純水加毛刷清洗或清洗液加毛刷清洗或其中幾種方法的結合。