[發明專利]一種降低硅基薄膜電池串聯電阻的工藝無效
| 申請號： | 200910238575.6 | 申請日： | 2009-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN101707229A | 公開（公告）日： | 2010-05-12 |
| 發明（設計）人： | 李寶勝;羅小平;張發榮 | 申請（專利權）人： | 新奧光伏能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京連城創新知識產權代理有限公司 11254 | 代理人： | 劉伍堂 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 薄膜 電池 串聯 電阻 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低硅基薄膜電池串聯電阻的工藝，其特征在于，在PVD工序前，對激光劃線后的TCO薄膜進行清洗工序或者等離子轟擊工序或者先后執行上述兩種工序。
2.如權利要求1所述的一種降低硅基薄膜電池串聯電阻的工藝，其特征在于，所述對TCO薄膜進行清洗可以是純水清洗或清洗液清洗或酸性液體清洗或純水加毛刷清洗或清洗液加毛刷清洗或其中幾種方法的結合。
3.如權利要求1所述的一種降低硅基薄膜電池串聯電阻的工藝，其特征在于，所述對TCO薄膜進行等離子轟擊是指在鍍制背電極之前，使用PVD設備里加入的離子轟擊裝置，對TCO薄膜進行離子轟擊。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
