[發明專利]一種ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器

無效

• 申請號: 200910233695.7
• 申請日: 2009-10-28
• 公開（公告）號: CN101697355A
• 公開（公告）日: 2010-04-21
• 發明（設計）人: 王欽;李海松;劉俠;楊東林;易揚波;陳文高
• 申請（專利權）人: 蘇州博創集成電路設計有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06;H01L29/36;H01L23/60
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器，包括：P型摻雜半導體襯底(1)，在所述P型摻雜半導體襯底(1)上面分別設置有相鄰的N型摻雜阱(2)和P型摻雜阱(3)，在所述N型摻雜阱(2)中設有低濃度N型摻雜半導體區(5)和P型摻雜半導體區(6)，在所述低濃度N型摻雜半導體區(5)中設有N型摻雜半導體區(4)，在所述P型摻雜阱(3)中設有N型摻雜半導體區(7)和P型摻雜半導體區(8)，在所述低濃度N型摻雜半導體區(5)、P型摻雜半導體區(6)、N型摻雜半導體區(7)和P型摻雜半導體區(8)以外的區域設有場氧化層(10)，在所述低濃度N型摻雜半導體區(5)、P型摻雜半導體區(6)、N型摻雜半導體區(7)、P型摻雜半導體區(8)和場氧化層(10)的表面設有二氧化硅介質層(11)，在所述N型摻雜半導體區(4)和P型摻雜半導體區(6)上連有金屬層(12)，構成了橫向半導體硅控整流控制器的陽極；在所述N型摻雜半導體區(7)和P型摻雜半導體區(8)上連有金屬層(13)，構成了橫向半導體硅控整流控制器的陰極；在所述P型摻雜阱(2)和N型摻雜阱(3)交界處的場氧化層(10)的下表面處設有高濃度P型場注入層(9)，其特征在于，所述低濃度N型摻雜半導體區(5)完全包圍N型摻雜半導體區(4)。

2.根據權利要求1所述的ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器，其特征在于，所述低濃度N型摻雜半導體區(5)的深度受所述N型摻雜阱(2)的濃度的影響，所述N型摻雜阱(2)的濃度越高，所述低濃度N型摻雜半導體區(5)的深度越淺。

3.根據權利要求1所述的ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器，其特征在于，所述低濃度N型摻雜半導體區(5)可以由多種版圖形狀來制作。

4.根據權利要求3所述的ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器，其特征在于，制作所述低濃度N型摻雜半導體區(5)所用到的版圖是由多個很小的不連續的版圖形狀構成的。

5.根據權利要求1所述的ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器，其特征在于，在所述N型摻雜阱(2)和P型摻雜阱(3)交界處的場氧化層(10)的下表面處設有高濃度P型場注入層(9)。

6.根據權利要求1所述的ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器，其特征在于，所述低濃度N型摻雜半導體區(5)的濃度低于所述N型摻雜阱(2)和N型摻雜半導體區(4)。

7.根據權利要求1所述的ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器，其特征在于，所述高濃度P型場注入層(9)的左端不與所述P型摻雜半導體區(6)相連。

8.根據權利要求1所述的ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器，其特征在于，所述高濃度P型場注入層(9)的右端不與N型摻雜半導體區(7)相連。

9.根據權利要求1所述的ESD用均勻觸發半導體硅控整流控制器，其特征在于，所述場注入層(9)的濃度高于所述P型摻雜阱區(3)。