[發(fā)明專利]銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池光吸收層的硒化方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910229193.7 | 申請(qǐng)日: | 2009-12-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102097522A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙彥民;劉興江;方小紅;王慶華;馮金暉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十八研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18 |
| 代理公司: | 天津盛理知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12209 | 代理人: | 王來(lái)佳 |
| 地址: | 300381 天*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 銅銦鎵硒 薄膜 太陽(yáng)電池 光吸收 方法 | ||
1.銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池光吸收層的硒化方法,其特征在于:包括以下過(guò)程:
(1)裝片:將退火后的基片放在能夠與機(jī)械磁力拉桿相吸的基片支架上,反應(yīng)物裝入石英舟;自上至下將基片加熱器、基片支架、套在導(dǎo)向桶中的石英舟和石英舟加熱爐放置在一個(gè)反應(yīng)腔體中,導(dǎo)向桶外周均布有加熱帶;用抽真空系統(tǒng)對(duì)反應(yīng)腔體、通過(guò)閥門與反應(yīng)腔體相通的轉(zhuǎn)換腔體和石英舟抽真空,真空度均為6×10-3Pa以下;
(2)升溫:由PID溫度控制器控制溫度,石英舟加熱爐溫度升至200℃以上、加熱帶溫度升至250℃以上時(shí),打開(kāi)基片加熱器升溫至500℃以上;石英舟中的反應(yīng)物正對(duì)著基片,基片和反應(yīng)物進(jìn)行硒化反應(yīng),保持15min以上;
(3)降溫:硒化反應(yīng)完成后,基片加熱器保持500℃以上,石英舟加熱爐和加熱帶溫度通過(guò)反應(yīng)腔體壁中的循環(huán)水快速降溫至200℃以下,用機(jī)械磁力拉桿吸住基片支架,快速拉至與反應(yīng)腔體相通的溫度為室溫的轉(zhuǎn)換腔體中,待基片溫度降至室溫,基片即為銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池光吸收層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池光吸收層的硒化方法,其特征在于:所述(1)中反應(yīng)物為硒或硫,或硒和硫的混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池光吸收層的硒化方法,其特征在于:所述(1)中基片加熱器為紅外鹵鎢燈。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池光吸收層的硒化方法,其特征在于:所述(1)中石英舟加熱爐為阻性材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池光吸收層的硒化方法,其特征在于:所述(1)中導(dǎo)向桶為不銹鋼圓柱筒,圓柱體外周布有阻性材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池光吸收層的硒化方法,其特征在于:所述(1)中抽真空系統(tǒng)為機(jī)械泵或小型渦輪分子泵。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





