[發(fā)明專利]蒸發(fā)方法及蒸發(fā)設(shè)備有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910225436.X | 申請(qǐng)日: | 2009-12-10 |
公開(公告)號(hào): | CN101724810A | 公開(公告)日: | 2010-06-09 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋怡樺;徐士峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H05B33/10 |
代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默聞 |
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搜索關(guān)鍵詞: | 蒸發(fā) 方法 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種蒸發(fā)方法及蒸發(fā)設(shè)備,且特別是有關(guān)于一種應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸發(fā)方法及蒸發(fā)設(shè)備。
背景技術(shù)
信息通信產(chǎn)業(yè)已成為現(xiàn)今的主流產(chǎn)業(yè),特別是可攜帶式的各種通信顯示產(chǎn)品更是發(fā)展的重點(diǎn)。而由于平面顯示器是人與信息之間的溝通界面,因此其發(fā)展顯得特別重要。有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic?Light?Emitting?Diode,OLED)以其自發(fā)光、廣視角、省電、程序簡(jiǎn)易、低成本、操作溫度廣泛、高應(yīng)答速度以及全彩化等等的優(yōu)點(diǎn),使其具有極大的潛力,因此可望成為下一代平面顯示器的主流。
有機(jī)電致發(fā)光顯示器是一種利用有機(jī)發(fā)光材料的自發(fā)光特性來(lái)達(dá)到顯示效果的顯示器,其中依照有機(jī)發(fā)光材料的分子量分為小分子有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Small?Molecule?OLED,SM-OLED)與高分子電激發(fā)光顯示器(Polymer?Ligh?Emitting?Diode,PLED)兩大類。兩者的發(fā)光結(jié)構(gòu)皆是由一對(duì)電極以及有機(jī)材料層所構(gòu)成。當(dāng)施加直流電壓時(shí),空穴從陽(yáng)極(anode)注入有機(jī)發(fā)光材料層,而電子從陰極(cathode)注入有機(jī)發(fā)光材料層,因?yàn)橥饧与妶?chǎng)所造成的電位差,使得空穴與電子兩種載子(carrier)在有機(jī)發(fā)光材料層中移動(dòng)并產(chǎn)生輻射性結(jié)合(Radiative?Recombination)。部分由電子空穴再結(jié)合所放出的能量會(huì)將有機(jī)發(fā)光材料分子激發(fā)形成單一激態(tài)分子。當(dāng)單一激態(tài)分子釋放能量回到基態(tài)時(shí),其中一定比例的能量會(huì)以光子的方式放出而發(fā)光,此即為有機(jī)電致發(fā)光顯示器的發(fā)光原理。
隨著有機(jī)電致發(fā)光顯示器的大型化的發(fā)展,其所面臨的瓶頸為有機(jī)電致發(fā)光顯示器蒸發(fā)方法中所需的掩模大小有所限制。另外,為因應(yīng)顯示器的全彩化,傳統(tǒng)蒸發(fā)工藝中發(fā)光層的部份通常需要紅、藍(lán)、綠三種發(fā)光材料于三個(gè)分別的蒸發(fā)腔室內(nèi)進(jìn)行蒸發(fā)。這樣的方法除了所需的掩模數(shù)目多,蒸發(fā)腔體數(shù)亦多,因此會(huì)導(dǎo)致蒸發(fā)時(shí)間較長(zhǎng)且費(fèi)用較高的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種蒸發(fā)方法,其可解決有機(jī)電致發(fā)光顯示器存在產(chǎn)出時(shí)間長(zhǎng)以及工藝設(shè)備費(fèi)用較高的問題。
本發(fā)明提供一種蒸發(fā)設(shè)備,其可減少有機(jī)電致發(fā)光顯示器所需的掩模數(shù)以及蒸發(fā)所需的腔體數(shù)。
本發(fā)明提出一種蒸發(fā)方法,其首先提供基板以及提供蒸發(fā)掩模(mask),其中蒸發(fā)掩模上具有N個(gè)圖案區(qū)域,所述N=4n,且n為0或0以上的正整數(shù),所述N個(gè)圖案區(qū)域在所述蒸發(fā)掩模上均勻分布。另外,提供蒸發(fā)源(evaporation?source),其中蒸發(fā)源具有多個(gè)蒸發(fā)區(qū)域,且每一個(gè)蒸發(fā)區(qū)域?qū)?yīng)蒸發(fā)掩模的至少一圖案區(qū)域設(shè)置。接著,將蒸發(fā)掩模設(shè)置于基板與蒸發(fā)源之間。之后,對(duì)基板進(jìn)行第一次蒸發(fā)步驟(evaporation?process)。將基板沿一方向轉(zhuǎn)動(dòng)90度之后,對(duì)基板進(jìn)行第二次蒸發(fā)步驟。再次將基板沿所述方向轉(zhuǎn)動(dòng)90度之后,對(duì)基板進(jìn)行第三次蒸發(fā)步驟。再次將基板沿所述方向轉(zhuǎn)動(dòng)90度之后,對(duì)基板進(jìn)行第四次蒸發(fā)步驟。
本發(fā)明另提出一種蒸發(fā)設(shè)備(evaporation?appratus),其用以對(duì)基板進(jìn)行蒸發(fā),所述蒸發(fā)設(shè)備包括蒸發(fā)源以及蒸發(fā)掩模。蒸發(fā)源具有多個(gè)蒸發(fā)區(qū)域,其中所述蒸發(fā)區(qū)域內(nèi)的蒸發(fā)材料不完全相同。蒸發(fā)掩模上具有N個(gè)圖案區(qū)域,所述N=4n,且n為0或0以上的正整數(shù),所述N個(gè)圖案區(qū)域在所述蒸發(fā)掩模上均勻分布,且蒸發(fā)源的每一個(gè)蒸發(fā)區(qū)域?qū)?yīng)蒸發(fā)掩模的至少一個(gè)圖案區(qū)域設(shè)置。
基于上述,本發(fā)明的蒸發(fā)方法以及蒸發(fā)設(shè)備可在同一蒸發(fā)腔室中在一個(gè)基板上完成N個(gè)區(qū)域的蒸發(fā),以同時(shí)完成N個(gè)面板的蒸發(fā)步驟。由于不需在多個(gè)蒸發(fā)腔室中轉(zhuǎn)換,因此可以有效減少蒸發(fā)所需的時(shí)間進(jìn)而提高產(chǎn)能。
附圖說(shuō)明
圖1A至圖1F是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的蒸發(fā)方法的流程示意圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的蒸發(fā)掩模的示意圖。
圖3A至圖3D分別是對(duì)應(yīng)圖1C至圖1F的蒸發(fā)步驟的示意圖。
圖4A至圖4D分別是圖3A至圖3D的蒸發(fā)步驟之后的基板俯視示意圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的蒸發(fā)掩模的示意圖。
圖6是利用圖5的蒸發(fā)掩模進(jìn)行蒸發(fā)步驟之后的基板俯視示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)
100、500:基板
102a~102d、502a~502d、501a~501d:區(qū)域
200、400:蒸發(fā)掩模
202a~202d、402a~402d:圖案區(qū)域
300:蒸發(fā)源
302a~302d:蒸發(fā)區(qū)域
304;檔板
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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