[發(fā)明專利]用于形成觸點的方法及封裝的集成電路組件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910225232.6
• 申請日: 2002-08-26
• 公開（公告）號: CN101714516A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 弗羅瑞恩·比克;竹金·雷比
• 申請（專利權(quán)）人: 肖特股份公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/768;H01L21/50;H01L23/482;H01L23/52;H01L25/00;H01L31/02;H01L31/18
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 李勇

1.用于為集成在基質(zhì)材料(1，10)中的至少一個元件形成電觸點連接的方法，基質(zhì)材料(1，10)具有第一表面區(qū)域(13)，并且

a)至少一個連接觸點(12)至少部分地設(shè)置在每個元件的第一表面區(qū)域中，其中

b)一個透光的覆蓋層(20)被敷設(shè)到第一表面區(qū)域上，并且

c)形成至少一個接觸通道(31)，它在基質(zhì)材料中相對于第一表面區(qū)域橫向穿過，在該方法中，為了

d)在將要提供的第二表面區(qū)域中形成至少一個觸點位置(24)，

e)通過相應(yīng)的接觸通道(31)形成至少一個從觸點位置(224)到至少一個連接觸點(12)的電觸點連接，

其中，在形成至少一個接觸通道(30)或至少一個觸點位置(24)之前敷設(shè)覆蓋層(20)，其中提供第二表面區(qū)域的過程包括從第二表面區(qū)域開始，基本上直接與連接觸點相鄰，削薄基質(zhì)材料，尤其是接觸通道(31)的步驟。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，基質(zhì)材料(1，10)相對于各個元件被劃分為所要限定的芯片區(qū)域(1a，1b)，并且接觸通道(31)在連接觸點(12)旁邊被引入基質(zhì)材料相應(yīng)的芯片區(qū)域中。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，這樣將接觸通道引入到基質(zhì)材料(1，10)中：使得它們與連接觸點相鄰接。

4.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，至少一些接觸通道(31)位于芯片區(qū)域(1a，1b)的將要被限定的分隔線(36)上。

5.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，形成接觸通道(31)的過程包括使接觸通道與基質(zhì)材料(1，10)側(cè)向隔離(32)。

6.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，形成接觸通道(31)的過程包括用元素周期表中的第三或第五主族中的化學(xué)元素來對基質(zhì)進行摻雜。

7.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，形成接觸通道(31)的過程中通過離子注入來摻雜元素。

8.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，形成接觸通道(31)的過程通過熱擴散來摻雜元素。

9.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，形成接觸通道(31)的過程包括提供開孔(17，30)。

10.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，借助于干腐蝕工藝和/或濕腐蝕工藝來形成接觸通道(19，31)。

11.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，開孔(17，30)的干腐蝕使用光刻構(gòu)圖工藝和/或使用最好基于SF₆自由基的各向異性的干腐蝕。

12.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，開孔(17，30)的濕腐蝕使用光刻構(gòu)圖工藝和/或使用最好利用KOH溶液的各向異性的濕腐蝕。

13.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，形成電觸點連接(19，31)的過程包括在第一表面區(qū)域上再次敷設(shè)(18)連接觸點(12)。

14.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，形成電觸點連接(19，31)的過程通過蒸發(fā)鍍層和/或噴鍍和/或CVD和/或PVD來沉積最好是鋁、銅或鎳，隨后通過構(gòu)圖來實現(xiàn)。

15.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，形成電觸點連接(19，31)的過程中通過非電解沉積最好是鋁、銅或鎳。

16.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，形成電觸點連接(19，31)的過程包括填充接觸通道或開孔(17，30)。

17.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，連接至不同連接觸點的多個電觸點連接穿過相應(yīng)的接觸通道(19，31)或開孔(17，30)。

18.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，用絕緣材料來填充接觸通道(19，30)或開孔(17，30)的過程發(fā)生在電觸點連接已經(jīng)形成之后。

19.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，穿過相應(yīng)的接觸通道(19，31)或開孔(17，30)的電觸點連接被引至不同芯片區(qū)域(1a，1b)內(nèi)的連接觸點。