[發明專利]用于堆疊晶片封裝體的多晶片構造塊

有效

• 申請號: 200910222337.6
• 申請日: 2009-11-13
• 公開（公告）號: CN101771026A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: R·阿迪穆拉;任明鎮
• 申請（專利權）人: R·阿迪穆拉;任明鎮
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種半導體封裝體，該半導體封裝體包括：

襯底；

被堆疊的多個多晶片構造塊，包括第一多晶片構造塊和第二多晶片構造 塊，所述第一多晶片構造塊和所述第二多晶片構造塊被堆疊且相互鄰近，其 中每個所述第一和第二多晶片構造塊包括：

具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個表面包括多個電跡線；

第一晶片，該第一晶片通過第一組多個互連耦合到所述彎曲條帶的 所述第一表面的所述多個電跡線；和

第二晶片，該第二晶片通過第二組多個互連耦合到所述彎曲條帶的 所述第二表面的所述多個電跡線；以及

模塑件，該模塑件被置于所述襯底之上，并且包裹所述被堆疊的多個多 晶片構造塊，

其中，每個所述第一和第二多晶片構造塊的所述彎曲條帶的末端耦合到 所述襯底的第一表面。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中每個多晶片構造塊的所述 彎曲條帶的所述末端通過導電粘合劑耦合到所述襯底的所述第一表面。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝體，該半導體封裝體還包括：

在所述襯底的第二表面上的焊錫塊陣列，其中所述半導體封裝體是球柵 陣列封裝體。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中每個多晶片構造塊的所述 彎曲條帶包括聚酰亞胺材料，并且每個多晶片構造塊的所述多個電跡線包括 銅。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝體，其中在每個多晶片構造塊的所 述第一晶片和所述第二晶片之間具有每個多晶片構造塊的所述彎曲條帶，所 述彎曲條帶在所述第一晶片和所述第二晶片之間的厚度約在15-75微米的范 圍內，并且其中在每個多晶片構造塊的所述第一晶片和所述第二晶片之間具 有每個多晶片構造塊的多組所述多個電跡線中的每一組，該多組所述多個電 跡線中的每一組在所述第一晶片和所述第二晶片之間的厚度約在10-20微米 的范圍內。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中每個多晶片構造塊的多組 所述多個互連中的每一組包括金屬凸塊陣列，并且導電粘合劑散布在每個金 屬凸塊之間。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝體，其中所述導電粘合劑是各向異 性導電粘合劑。

8.根據權利要求6所述的半導體封裝體，其中所述金屬凸塊陣列中的每 個陣列中的每個金屬凸塊包括從包含銅、金和鎳的組中選擇的金屬。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其中所述多個多晶片構造塊包 括兩個雙晶片構造塊。

10.一種半導體封裝體，該半導體封裝體包括：

襯底；

被堆疊的多個多晶片構造塊，包括第一多晶片構造塊和第二多晶片構造 塊，所述第一多晶片構造塊和所述第二多晶片構造塊被橫向布置且至少部分 相互分開，其中每個所述第一和第二多晶片構造塊包括：

具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個表面包括多個電跡線；

第一晶片，該第一晶片通過第一組多個互連耦合到所述彎曲條帶的 所述第一表面的所述多個電跡線；和

第二晶片，該第二晶片通過第二組多個互連耦合到所述彎曲條帶的 所述第二表面的所述多個電跡線；以及

模塑件，該模塑件被置于所述襯底之上，并且包裹所述被堆疊的多個多 晶片構造塊，

其中，所述第一多晶片構造塊的所述彎曲條帶的末端連接到所述第二多 晶片構造塊的所述彎曲條帶的末端。

11.根據權利要求10所述的半導體封裝體，其中所述第二多晶片構造塊 的所述彎曲條帶的第二末端通過導電粘合劑耦合到所述襯底的第一表面。

12.根據權利要求10所述的半導體封裝體，該半導體封裝體還包括：

在所述襯底的第二表面上的焊錫塊陣列，其中所述半導體封裝體是球柵 陣列封裝體。

13.根據權利要求10所述的半導體封裝體，其中每個多晶片構造塊的所 述彎曲條帶包括聚酰亞胺材料，并且每個多晶片構造塊的多組所述多個電跡 線包括銅。