[發(fā)明專(zhuān)利]抗蝕墨及使用該抗蝕墨形成圖案的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910220851.6
• 申請(qǐng)日: 2009-11-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101738864A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金圣姬;金柄杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 樂(lè)金顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/075
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/075;G03F7/00
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及抗蝕墨和圖案形成方法，特別是，涉及因添加了硅烷偶 聯(lián)劑而具有增強(qiáng)的耐酸性并可防止因殘留物熔析所造成的缺陷的抗蝕 墨，和使用該抗蝕墨的圖案形成方法。

背景技術(shù)

顯示器件，例如液晶顯示(LCD)器件等平板顯示器件通過(guò)在各像素處 采用有源器件(例如薄膜晶體管)而被驅(qū)動(dòng)。這種類(lèi)型的顯示器件驅(qū)動(dòng) 方法通常被稱(chēng)作有源矩陣驅(qū)動(dòng)法。有源矩陣驅(qū)動(dòng)法的實(shí)施使得有源器件 被設(shè)置于以矩陣構(gòu)造排列的各像素處，由此驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的像素。

圖1顯示的是有源矩陣型LCD器件。具有圖1所示的結(jié)構(gòu)的LCD 器件是使用薄膜晶體管(TFT)作為有源器件的薄膜晶體管LCD器件。參 考圖1，TFT位于在垂直和水平方向上設(shè)置有N×M個(gè)像素的LCD器件 的各像素中。各TFT形成于柵線(xiàn)4與數(shù)據(jù)線(xiàn)6之間的交點(diǎn)處，外部驅(qū)動(dòng) 電路對(duì)柵線(xiàn)4施加掃描信號(hào)，并由其對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)6施加圖像信號(hào)。TFT設(shè) 置有連接于柵線(xiàn)4的柵極3、形成于柵極3上并響應(yīng)施加于柵極3的掃描 信號(hào)而激活的半導(dǎo)體層8，和形成于半導(dǎo)體層8上的源/漏極5。像素1 的顯示區(qū)域設(shè)置有像素電極10，所述像素電極10與源/漏極5相連，由 此可響應(yīng)半導(dǎo)體層8的激活，通過(guò)源/漏極5對(duì)像素電極10施加圖像信號(hào)， 從而操作液晶(未示出)。

圖2顯示的是位于各像素中的TFT的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，TFT包括 由諸如玻璃等透明絕緣材料形成的基板20、形成于基板20上的柵極3、 位于柵極3上層壓于整個(gè)基板20上方的柵絕緣層22、形成于柵絕緣層 22上并可被施加于柵極3上的信號(hào)激活的半導(dǎo)體層6、形成于半導(dǎo)體層6 上的源/漏極5，和形成于源/漏電極5上的用于保護(hù)器件的鈍化層25。

TFT的源/漏極5電連接于形成于各像素中的像素電極。因此，當(dāng)通 過(guò)源/漏極5對(duì)像素電極施加信號(hào)時(shí)，液晶被驅(qū)動(dòng)，從而顯示圖像。

如上所述，諸如LCD器件等有源矩陣型顯示器件具有尺寸均為數(shù)十 納米的像素。因此，設(shè)置于像素中的TFT等有源器件應(yīng)精密地形成為數(shù) 納米的尺寸。特別是，諸如高清電視(HDTV)等高清顯示器件需要在同樣 大小的屏幕中設(shè)置更多的像素，隨著這一需求的增加，設(shè)置于各像素中 的有源器件圖案(包括柵線(xiàn)圖案和數(shù)據(jù)線(xiàn)圖案)也因此必須更加精密地 形成。

同時(shí)，在相關(guān)技術(shù)中為制造諸如TFT等有源器件，有源器件的圖案 或線(xiàn)路通過(guò)使用曝光系統(tǒng)的光刻法來(lái)形成。然而，相關(guān)技術(shù)的圖案形成 必須采用光刻法，所述光刻法在將光刻膠層壓至擬圖案化的層上之后通 過(guò)曝光工序來(lái)進(jìn)行。此處，因?yàn)槠毓庀到y(tǒng)具有有限的曝光面積，所以為 制造大型顯示器件，應(yīng)該通過(guò)分割屏幕來(lái)執(zhí)行光刻法。因此，在對(duì)分割 區(qū)執(zhí)行光刻工序時(shí)，曝光區(qū)的精確的位置對(duì)齊很難實(shí)現(xiàn)，此外還應(yīng)該多 次重復(fù)光刻，導(dǎo)致生產(chǎn)率降低。

為避免這些問(wèn)題，最近提出了這樣的印刷方法，其中，通過(guò)以下方 法形成抗蝕圖案：使用輥將抗蝕墨直接印刷在諸如金屬等蝕刻目標(biāo)層上， 然后在使用抗蝕圖案遮掩下方的蝕刻目標(biāo)層的狀態(tài)下，使用蝕刻液來(lái)蝕 刻該蝕刻目標(biāo)層。

該印刷方法的實(shí)現(xiàn)使得，所需形式(即，根據(jù)圖案形狀的形式)的 抗蝕墨形成于印刷輥上，然后該印刷輥在基板上滾動(dòng)以將抗蝕墨轉(zhuǎn)印于 其上，由此形成抗蝕圖案。然而，通過(guò)相關(guān)技術(shù)的印刷方法進(jìn)行的蝕刻 具有以下問(wèn)題。

通常，由于圖案是通過(guò)曝光工序形成的，因此在加入光引發(fā)劑的情 況下進(jìn)行光照射時(shí)光刻膠會(huì)發(fā)生光致交聯(lián)，而該印刷方法卻通過(guò)烘焙工 序而非光致交聯(lián)來(lái)獲得交聯(lián)。然而，在烘焙工序中，若在烘焙后有部分 組分保持原樣而未發(fā)生交聯(lián)，則當(dāng)加入蝕刻液時(shí)，殘留物會(huì)熔析，由此 導(dǎo)致諸如在抗蝕墨中產(chǎn)生針孔等損壞。對(duì)于抗蝕墨的損壞可能導(dǎo)致在蝕 刻該蝕刻目標(biāo)層時(shí)出現(xiàn)缺陷。此外，在濕法蝕刻過(guò)程中，抗蝕墨可因殘 留物而剝離，由此使金屬層暴露。因此，蝕刻液甚至?xí)g刻暴露的金屬 層。結(jié)果，圖案的寬度可能會(huì)成問(wèn)題，即，比預(yù)設(shè)寬度窄，甚至可能在 圖案中出現(xiàn)短路。

發(fā)明內(nèi)容

因此，為避免上述問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供如下抗蝕墨，所 述抗蝕墨因添加了硅烷偶聯(lián)劑而具有增強(qiáng)的耐酸性，并可防止因針孔等 而造成的缺陷。

本發(fā)明的另一目的是提供通過(guò)使用上述制造的抗蝕墨來(lái)形成圖案的 方法。