[發(fā)明專(zhuān)利]磁性多層膜納米碗單層陣列的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910218044.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-12-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102097208A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張永軍;王雅新;丁雪;楊艷婷;楊景海 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 吉林師范大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01F41/14 | 分類(lèi)號(hào): | H01F41/14;H01F41/18;B82B3/00;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司: | 吉林省長(zhǎng)春市新時(shí)代專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 22204 | 代理人: | 石岱 |
| 地址: | 136000 吉林省四*** | 國(guó)省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁性 多層 納米 單層 陣列 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種磁性多層膜納米碗單層陣列的制備方法,該陣列被廣泛的應(yīng)用于微生物學(xué)、藥物學(xué)、高密度磁存儲(chǔ)及微流體學(xué)等領(lǐng)域。
發(fā)明背景
磁性納米碗狀陣列在微生物學(xué)、藥物學(xué)、高密度磁存儲(chǔ)及微流體學(xué)等方面具有重要應(yīng)用前景。目前報(bào)道的制備方法以化學(xué)方法為主,與目前的大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)工藝不兼容。同時(shí)制備的材料也比較單一,以Co或Fe2O3單一材質(zhì)為主要構(gòu)成材料。而在實(shí)際應(yīng)用中,功能多樣的多層膜或合金材料具有更重要和更廣泛的應(yīng)用前景。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是采用膠體球自組裝技術(shù),通過(guò)圖形轉(zhuǎn)移和選擇性刻蝕等工藝步驟,制備出磁性多層膜納米碗單層陣列。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的,該制備方法包括以下步驟:
(1)、利用自組裝技術(shù)在硅或玻璃或ITO襯底上制備二維膠體球陣列;
(2)、在膠體球陣列上通過(guò)濺射技術(shù)沉積Co/Pt多層膜,使得膠體球頂部形成倒置的碗狀結(jié)構(gòu)層,膠體球縫隙間的襯底上沉積了多層膜納米點(diǎn)狀結(jié)構(gòu);
(3)、將長(zhǎng)有多層膜的膠體球陣列轉(zhuǎn)移到另一塊襯底上,而膠體間的點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)留在原來(lái)的襯底上;
(4)、利用選擇刻蝕技術(shù)除掉膠體球,在新襯底上形成納米碗陣列;
(5)、如果要制備分立的納米碗陣列,需要在薄膜沉積前對(duì)膠體粒子進(jìn)行削減分離,重復(fù)上述(2)、(3)、(4)步驟的內(nèi)容則可以制備分立的碗狀結(jié)構(gòu)陣列。
所述的納米碗陣列中納米碗是單層的結(jié)構(gòu)形式,大小和間距可以通過(guò)膠體球的尺寸和間距控制,其選擇沉積膜的材料是多樣的。
本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)和積極效果:
本發(fā)明方法應(yīng)用范圍很廣,可以應(yīng)用于單層膜,也可以應(yīng)用于多層膜;材質(zhì)可以是單質(zhì),亦可以是合金,還可以是摻雜的薄膜。相較于以往方法,本專(zhuān)利可用于制備單層碗狀結(jié)構(gòu)陣列,既可以是彼此連接的碗,也可以是相互孤立的碗狀陣列。
附圖說(shuō)明
圖1、2為本發(fā)明二維膠體球陣列結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3、4、5為本發(fā)明膠體球陣列上沉積薄膜結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6、7為本發(fā)明膠體球陣列轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8、9、除掉膠體球、在新襯底上形成納米碗陣列結(jié)構(gòu)示意圖。
圖10、11為本發(fā)明得到的納米碗陣列SEM圖
圖12、13為本發(fā)明分立的碗狀結(jié)構(gòu)陣列SEM圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明所依據(jù)的原理是:
(1)、自組裝方法制備的膠體陣列與襯底之間為較弱的范德瓦爾斯力,很容易脫落下來(lái)。
(2)、向膠體陣列沉積薄膜,當(dāng)薄膜厚度小于膠體球半徑時(shí),薄膜與襯底不相連接,小球之間薄膜厚度很小。
該納米碗單層陣列的制備方法包括以下步驟:
由附圖1、2所示:首先利用自組裝技術(shù)在硅襯底上制備二維膠體球陣列;
由附圖3、4、5所示:在膠體球陣列上通過(guò)磁控濺射技術(shù)沉積[Co/Pt]15多層膜,使得膠體球頂部形成倒置的碗狀結(jié)構(gòu)層(圖3、4),膠體球縫隙間的襯底上沉積了多成膜納米點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)A,圖5為納米碗的結(jié)構(gòu)放大示意圖;
由附圖6、7所示:利用一個(gè)表面具有粘性的另一襯底B將長(zhǎng)有多層膜的膠體球陣列轉(zhuǎn)移到其上,而膠體間的點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)留在原來(lái)的襯底C上;
由附圖8、9所示:利用選擇刻蝕技術(shù)除掉膠體球D,在新襯底B上形成納米碗陣列E;圖10、11為上述納米碗陣列SEM圖。
由附圖12、13所示:如果要制備分立的納米碗陣列,需要在薄膜沉積步驟(2)之前對(duì)膠體球進(jìn)行削減分離(削減分離系采用反應(yīng)離子刻蝕機(jī),用氧氣為氣源),其他步驟重復(fù)上述(2)、(3)、(4)的內(nèi)容則可以制備出分立的碗狀結(jié)構(gòu)陣列。
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