[發(fā)明專利]磁性多層膜納米碗單層陣列的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910218044.0 | 申請日： | 2009-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN102097208A | 公開（公告）日： | 2011-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張永軍;王雅新;丁雪;楊艷婷;楊景海 | 申請（專利權(quán)）人： | 吉林師范大學(xué) |
| 主分類號： | H01F41/14 | 分類號： | H01F41/14;H01F41/18;B82B3/00;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 吉林省長春市新時代專利商標代理有限公司 22204 | 代理人： | 石岱 |
| 地址： | 136000 吉林省四*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁性 多層 納米 單層 陣列 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種磁性多層膜納米碗單層陣列的制備方法，其特征在于：它包括以下步驟：
(1)、利用自組裝技術(shù)在硅或玻璃或ITO襯底上制備二維膠體球陣列；
(2)、在膠體球陣列上通過濺射技術(shù)沉積Co/Pt多層膜，使得膠體球頂部形成倒置的碗狀結(jié)構(gòu)層，膠體球縫隙間的襯底上沉積了多層膜納米點狀結(jié)構(gòu)；
(3)、將長有多層膜的膠體球陣列轉(zhuǎn)移到另一塊襯底上，而膠體間的點狀結(jié)構(gòu)留在原來的襯底上；
(4)、利用選擇刻蝕技術(shù)除掉膠體球，在新襯底上形成納米碗陣列；
(5)、如果要制備分立的納米碗陣列，需要在薄膜沉積前對膠體粒子進行削減分離，重復(fù)上述(2)、(3)、(4)步驟的內(nèi)容則可以制備分立的碗狀結(jié)構(gòu)陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁性多層膜納米碗單層陣列的制備方法，其特征在于：所述的納米碗陣列中納米碗是單層的結(jié)構(gòu)形式，大小和間距可以通過膠體球的尺寸和間距控制，其選擇沉積膜的材料是多樣的。
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