[發(fā)明專利]發(fā)射器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910216920.6
• 申請日: 2009-12-31
• 公開（公告）號: CN101848005A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張大中;林旭熙;尹永彬
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H04B1/04
• 分類號: H04B1/04;H03F3/16
• 代理公司: 北京博浩百睿知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11134
• 代理人: 宋子良;吳淑平

相關(guān)申請交叉參考

本申請要求于2008年12月31日提交的第10-2008-0138065號的韓國專利申請的權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引證結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)射器，更具體地，涉及用于在輸出電壓的相位變化時提供大電流的發(fā)射器。

背景技術(shù)

圖1是示出了具有推挽式結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有發(fā)射器的電路圖。圖1示出了該發(fā)射器的一般電路，具有以推挽方式驅(qū)動的雙棧結(jié)構(gòu)。

參考圖1，將MS1(PMOS晶體管)和MS2(NMOS晶體管)用作恒流源。PMOS晶體管MP1和MP2以及NMOS晶體管NM1和NM2是確定電流方向的開關(guān)元件。

同時開啟MP2和NM1，并且同時開啟MP1和NM2，從而為正節(jié)點1和負(fù)節(jié)點2提供恒定電流。

由提供給正節(jié)點1和負(fù)節(jié)點2的恒定電流，對跨接的電阻器Rterm施加恒定電壓。通過比較器3來檢測跨接電阻器Rterm施加的恒定電壓。

同時，現(xiàn)有的發(fā)射器另外包括將共模電壓固定在電壓vcom的共模反饋電路，這是因為在正節(jié)點1和負(fù)節(jié)點2處的共模噪聲是比較高的。

上述現(xiàn)有發(fā)射器的電路具有以下三個問題。

首先，雖然當(dāng)驅(qū)動正節(jié)點1處的電壓以使其增加到高于電壓vcom的電平時，會在MS1、MP2、電阻器Rterm、電阻器Rseri、MN2和MS2處出現(xiàn)壓降，但是當(dāng)使用大電流來實現(xiàn)驅(qū)動時，高的壓降就會出現(xiàn)在電阻元件處，即，MP2、Rterm、Rseri和MN2。基于這個原因，MS1和MS2中的穩(wěn)定電壓變得不足。因此，難以將MS1和MS2作為恒流源來驅(qū)動。當(dāng)MP1和MP2不能作為大電流源運行時，就不可能為電容負(fù)載(即，電容器Cload)提供大電流。在這種情況下，就不可能實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。

第二，當(dāng)驅(qū)動大電容負(fù)載(例如，電容器Cload)時，施加在電阻器Rterm上的電壓的相位變化需要大量時間。基于這個原因，在高速運行中不可能將電容器Cload充電到正常的電壓電平。為了解決此問題，在改變上述電壓的相位時，必須為正節(jié)點1和負(fù)節(jié)點2提供大電流。然而，電流量受到恒流源的限制。因此，存在難以在正節(jié)點1和負(fù)節(jié)點2處實現(xiàn)快速相位變化的問題。

第三，必須要增加共模反饋電路，這是因為由于正節(jié)點1和負(fù)節(jié)點2的高輸出阻抗，電壓vcom處的噪聲很高。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明旨在提供一種發(fā)射器，從而基本上消除由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點導(dǎo)致的一個或多個問題。

本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠通過在輸出電壓的相位變化時提供大電流實現(xiàn)高速運行的發(fā)射器。

本發(fā)明的另一目的是提供一種不需要共模反饋電路的發(fā)射器。

在下面的描述中將部分地闡述本公開的其它優(yōu)點、目的以及特性，并且根據(jù)分析下述內(nèi)容或者可以從本發(fā)明的實施中得到教導(dǎo)，本發(fā)明的一部分對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將變得顯而易見。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可以由在其所寫的說明書和權(quán)利要求以及附圖中所具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

為了實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，正如本文中所實施并廣泛描述的，發(fā)射器包括第一放大單元，其包括第一放大器和第二放大器，第一放大器包含第一NMOS晶體管和第一PMOS晶體管，具有連接第一NMOS晶體管和第一PMOS晶體管的公共源極，第二放大器包含第二NMOS晶體管和第二PMOS晶體管，具有連接第二NMOS晶體管和第二PMOS晶體管的公共漏極，并且，第二放大器與第一放大器并聯(lián)連接；第二放大單元，其包括第三放大器和第四放大器，第三放大器包含第三NMOS晶體管和第三PMOS晶體管，具有連接第三NMOS晶體管和第三PMOS晶體管的公共源極，第四放大器包含第四PMOS晶體管和第四NMOS晶體管，具有連接第四PMOS晶體管和第四NMOS晶體管的公共漏極，并且，第三放大器與第四放大器并聯(lián)連接；以及差分輸出節(jié)點，其包括連接至第一放大單元的輸出級的正節(jié)點以及連接至第二放大單元的輸出級的負(fù)節(jié)點，第一放大器的公共源極和第二放大器的公共漏極共同連接至正節(jié)點，第三放大器的公共源極和第四放大器的公共漏極共同連接至負(fù)節(jié)點。

第一NMOS晶體管的漏極和第二PMOS晶體管的源極連接至電壓源級。第一PMOS晶體管的漏極和第二NMOS晶體管的源極連接至接地級。第三NMOS晶體管的漏極和第四PMOS晶體管的源極連接至電壓源級。第三PMOS晶體管的漏極和第四NMOS晶體管的源極連接至接地級。第一放大單元的輸出級和第二放大單元的輸出級彼此連接，以形成鏡像。