[發(fā)明專利]發(fā)射器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910216920.6 | 申請(qǐng)日： | 2009-12-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101848005A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張大中;林旭熙;尹永彬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東部高科股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H04B1/04 | 分類號(hào)： | H04B1/04;H03F3/16 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;吳淑平 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)射器 | ||
1.一種發(fā)射器，包括：
第一放大單元，包括第一放大器和第二放大器，所述第一放大器包含第一NMOS晶體管和第一PMOS晶體管，具有連接所述第一NMOS晶體管和所述第一PMOS晶體管的公共源極，所述第二放大器包含第二PMOS晶體管和第二NMOS晶體管，具有連接所述第二PMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管的公共漏極，并且，所述第二放大器與所述第一放大器并聯(lián)連接；
第二放大單元，包括第三放大器和第四放大器，所述第三放大器包含第三NMOS晶體管和第三PMOS晶體管，具有連接所述第三NMOS晶體管和所述第三PMOS晶體管的公共源極，所述第四放大器包含第四PMOS晶體管和第四NMOS晶體管，具有連接所述第四PMOS晶體管和所述第四NMOS晶體管的公共漏極，并且，所述第三放大器與所述第四放大器并聯(lián)連接；以及
差分輸出節(jié)點(diǎn)，包括連接至所述第一放大單元的輸出級(jí)的正節(jié)點(diǎn)以及連接至所述第二放大單元的輸出級(jí)的負(fù)節(jié)點(diǎn)，所述第一放大器的公共源極和所述第二放大器的公共漏極共同連接至所述正節(jié)點(diǎn)，所述第三放大器的公共源極和所述第四放大器的公共漏極共同連接至所述負(fù)節(jié)點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，其中：
所述第一NMOS晶體管的漏極和所述第二PMOS晶體管的源極連接至電壓源級(jí)；
所述第一PMOS晶體管的漏極和所述第二NMOS晶體管的源極連接至接地級(jí)；
所述第三NMOS晶體管的漏極和所述第四PMOS晶體管的源極連接至所述電壓源級(jí)；以及
所述第三PMOS晶體管的漏極和所述第四NMOS晶體管的源極連接至所述接地級(jí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，其中，所述第一放大單元的輸出級(jí)和所述第二放大單元的輸出級(jí)彼此連接，以形成鏡像。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，還包括：
電阻器，具有相對(duì)端，所述第一放大單元的輸出級(jí)和所述第二放大單元的輸出級(jí)分別連接至所述電阻器的相對(duì)端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)射器，其中，所述第一放大單元的輸出級(jí)和所述第二放大單元的輸出級(jí)分別連接至所述電阻器的相對(duì)端，以形成鏡像。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，其中：
所述第一NMOS晶體管的柵極和所述第一PMOS晶體管的柵極彼此連接；以及
所述第三NMOS晶體管的柵極和所述第三PMOS晶體管的柵極彼此連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，還包括：
第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)，分別設(shè)置在所述第二PMOS晶體管的柵極處和所述第二NMOS晶體管的柵極處，以開(kāi)啟/關(guān)斷所述第二放大器；以及
第三開(kāi)關(guān)和第四開(kāi)關(guān)，分別設(shè)置在所述第四PMOS晶體管的柵極處和所述NMOS晶體管的柵極處，以開(kāi)啟/關(guān)斷所述第四放大器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，其中：
所述第一NMOS晶體管的柵極與所述第一PMOS晶體管的柵極彼此連接；以及
所述第三NMOS晶體管的柵極與所述第三PMOS晶體管的柵極彼此連接；
所述第二PMOS晶體管的柵極與所述第二NMOS晶體管的柵極彼此連接；以及
所述第四PMOS晶體管的柵極和所述第四NMOS晶體管的柵極彼此連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，還包括：
第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)，用于開(kāi)啟/關(guān)斷所述第二放大器；以及
第三開(kāi)關(guān)和第四開(kāi)關(guān)，用于開(kāi)啟/關(guān)斷所述第四放大器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)射器，其中：
所述第一開(kāi)關(guān)設(shè)置在所述第二PMOS晶體管的源極與所述電壓源級(jí)之間；
所述第二開(kāi)關(guān)設(shè)置在所述第二NMOS晶體管的源極與接地級(jí)之間；
所述第三開(kāi)關(guān)設(shè)置在所述第四PMOS晶體管的源極與所述電壓源級(jí)之間；以及
所述第四開(kāi)關(guān)設(shè)置在所述第四NMOS晶體管的源極與所述接地級(jí)之間。
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H04B 傳輸
H04B1-00 不包含在H04B 3/00至H04B 13/00單個(gè)組中的傳輸系統(tǒng)的部件；不以所使用的傳輸媒介為特征區(qū)分的傳輸系統(tǒng)的部件
H04B1-02 .發(fā)射機(jī)
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H04B1-38 .收發(fā)兩用機(jī)，即發(fā)射機(jī)和接收機(jī)形成一個(gè)結(jié)構(gòu)整體，并且其中至少有一部分用作發(fā)射和接收功能的裝置
H04B1-59 .應(yīng)答器；發(fā)射機(jī)應(yīng)答機(jī)
H04B1-60 .無(wú)人中繼器的監(jiān)視
