[發(fā)明專利]無核層封裝基板的制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910212022.3
• 申請日: 2009-11-06
• 公開（公告）號(hào): CN102054710B
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江仁宏;鄭兆孟
• 申請（專利權(quán)）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云

1.一種無核層封裝基板的制法，包括以下步驟：

提供一承載板，該承載板包括一核心層、一設(shè)于該核心層表面的第一介 電層、一配置于該第一介電層表面的離型膜、以及一設(shè)于該離型膜表面及該 第一介電層表面的金屬層，其中該離型膜的面積小于該第一介電層，以使該 第一介電層具有不為該離型膜覆蓋的框狀區(qū)，且該金屬層與該框狀區(qū)疊接；

于該承載板的該金屬層上形成一第一線路層，其中該第一線路層具有多 個(gè)第一電性接觸墊；

于該第一線路層及該金屬層上形成一增層結(jié)構(gòu)，其中，該增層結(jié)構(gòu)包括 至少一第二介電層、至少一疊置于該第二介電層表面的第二線路層、及設(shè)于 該第二介電層中的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，所述多個(gè)導(dǎo)電盲孔電性連接該第一線路層 與該第二線路層，且最外層的該第二線路層具有多個(gè)第二電性接觸墊，其中， 該第二介電層的熱膨脹系數(shù)落于10~30ppm/℃的范圍內(nèi)；

對(duì)應(yīng)該離型膜周緣以內(nèi)切割該增層結(jié)構(gòu)、該金屬層、該離型膜、以及該 第一介電層，以自該增層結(jié)構(gòu)上移除該承載板，使所述多個(gè)第一電性接觸墊 嵌入并外露于該第二介電層表面。

2.如權(quán)利要求1所述的無核層封裝基板的制法，還包括于所述多個(gè)第一 電性接觸墊及所述多個(gè)第二電性接觸墊上形成一表面處理層。

3.如權(quán)利要求2所述的無核層封裝基板的制法，其中，該表面處理層選 自錫、銀、鎳、金、鉻/鈦、鎳/金、鎳/鈀、鎳/鈀/金、有機(jī)保焊膜、化鎳浸金、 化鎳化鈀浸金、化鈀浸金、焊錫及無鉛焊錫其中之一。

4.如權(quán)利要求1所述的無核層封裝基板的制法，其中，該第二介電層的 楊格系數(shù)超過8GPa。

5.如權(quán)利要求1所述的無核層封裝基板的制法，其中，該核心層為一銅 箔基板。

6.如權(quán)利要求1所述的無核層封裝基板的制法，其中，所述多個(gè)第一電 性接觸墊為凸塊焊墊，且所述多個(gè)第二電性接觸墊為植球焊墊。

7.如權(quán)利要求1所述的無核層封裝基板的制法，其中，所述多個(gè)第一電 性接觸墊為植球焊墊，且所述多個(gè)第二電性接觸墊為凸塊焊墊。

8.一種無核層封裝基板的制法，包括以下步驟：

提供一承載板，該承載板包括一核心層、一設(shè)于該核心層表面的第一介 電層、一配置于該第一介電層表面的離型膜、以及一設(shè)于該離型膜表面及該 第一介電層表面的金屬層，其中該離型膜的面積小于該第一介電層，以使該 第一介電層具有不為該離型膜覆蓋的框狀區(qū)，且該金屬層與該框狀區(qū)疊接；

于該承載板的該金屬層上形成一第一線路層，其中該第一線路層具有多 個(gè)第一電性接觸墊；

于該第一線路層及該金屬層上形成一增層結(jié)構(gòu)，其中，該增層結(jié)構(gòu)包括 至少一第二介電層、至少一疊置于該第二介電層表面的第二線路層、及設(shè)于 該第二介電層中的多個(gè)導(dǎo)電盲孔，所述多個(gè)導(dǎo)電盲孔電性連接該第一線路層 與該第二線路層，且最外層的該第二線路層具有多個(gè)第二電性接觸墊，其中， 該第二介電層的熱膨脹系數(shù)落于10~30ppm/℃的范圍內(nèi)；

于該增層結(jié)構(gòu)表面形成一絕緣保護(hù)層，其中，該絕緣保護(hù)層具有多個(gè)開 孔顯露最外層該第二線路層的所述多個(gè)第二電性接觸墊；以及

對(duì)應(yīng)該離型膜周緣以內(nèi)切割該絕緣保護(hù)層、該增層結(jié)構(gòu)、該金屬層、該 離型膜、以及該第一介電層，以自該增層結(jié)構(gòu)上移除該承載板，使所述多個(gè) 第一電性接觸墊嵌入并外露于該第二介電層表面。

9.如權(quán)利要求8所述的無核層封裝基板的制法，還包括于該第一電性接 觸墊及所述多個(gè)開孔顯露的所述多個(gè)第二電性接觸墊上形成一表面處理層。

10.如權(quán)利要求8所述的無核層封裝基板的制法，于切割之前還包括于所 述多個(gè)開孔顯露的所述多個(gè)第二電性接觸墊表面，形成多個(gè)電鍍金屬凸塊。

11.如權(quán)利要求10所述的無核層封裝基板的制法，還包括于該第一電性 接觸墊及所述多個(gè)電鍍金屬凸塊上形成一表面處理層。

12.如權(quán)利要求8所述的無核層封裝基板的制法，其中，該第二介電層的 楊格系數(shù)超過8GPa。