[發(fā)明專利]光伏裝置的蝕刻工藝控制方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910210815.1
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN102054894A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉育修;劉華龍;劉正治;羅智文
• 申請（專利權(quán)）人: 均豪精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)一種光伏裝置的蝕刻工藝控制方法，尤其是指運(yùn)用自動工藝回饋控制法來監(jiān)控硅晶片的蝕刻率的一種光伏裝置蝕刻工藝控制方法，以達(dá)到穩(wěn)定的蝕刻工藝參數(shù)。

背景技術(shù)

目前在光伏裝置的制造程序中的蝕刻工藝，是在一硅晶片(silicon?wafer)送入蝕刻機(jī)臺前，先以人工方式做該硅晶片的蝕刻工藝前重量量測，完成蝕刻工藝后，將所述硅晶片移出機(jī)臺，再以人工方式做該硅晶片的蝕刻工藝后重量量測，并以人工方式計(jì)算蝕刻工藝前與蝕刻工藝后的重量差異，而得出所述蝕刻機(jī)臺的蝕刻率(etching?rate)，然后與預(yù)定的蝕刻率比較，以決定是否調(diào)整蝕刻工藝的參數(shù)，例如機(jī)臺工藝溫度、蝕刻液濃度、硅晶片傳送裝置的傳送速度等等。

因?yàn)樯鲜龅某绦蚴且匀斯し绞竭M(jìn)行，無法對每一片晶片進(jìn)行上述的程序，只能用隨機(jī)選取方式，然而，隨機(jī)選取的方式無法「隨時」監(jiān)控、記錄并調(diào)整硅晶片的蝕刻工藝參數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為了改善上述現(xiàn)有技術(shù)的無法「隨時」監(jiān)控缺點(diǎn)，以期能隨時監(jiān)控、記錄并調(diào)整硅晶片的蝕刻工藝參數(shù)，在此提供一種光伏裝置的蝕刻工藝控制方法，其是運(yùn)用自動工藝回饋控制法來監(jiān)控硅晶片的蝕刻率。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種光伏裝置的蝕刻工藝控制方法，其是包括有下列步驟：

步驟1：將一晶片送入一蝕刻機(jī)臺；

步驟2：在所述蝕刻機(jī)臺內(nèi)測量、計(jì)算、記錄所述晶片在蝕刻工藝前與蝕刻工藝后的某一特定物理量的差異，并由此計(jì)算、記錄其蝕刻率；

步驟3：由所述蝕刻機(jī)臺自動判斷所述蝕刻率與所述蝕刻機(jī)臺內(nèi)設(shè)的預(yù)定值是否有差異，若為否，則重新回到步驟1，若為是，則往下進(jìn)行步驟4；

步驟4：由所述蝕刻機(jī)臺計(jì)算蝕刻工藝參數(shù)修正值；

步驟5：由所述蝕刻機(jī)臺自動修正其蝕刻工藝參數(shù)，并且回到步驟1。

本發(fā)明運(yùn)用的自動工藝回饋控制法，其是由蝕刻機(jī)臺本身自動在機(jī)臺內(nèi)量測蝕刻工藝前與蝕刻工藝后硅晶片的某一個特定的物理量，例如重量或者尺寸，并自動計(jì)算蝕刻工藝前與蝕刻工藝后的所述物理量差異，而得出所述蝕刻機(jī)臺的蝕刻率(etching?rate)，然后所述蝕刻機(jī)臺會與預(yù)定的蝕刻率比較，以自動判斷是否調(diào)整蝕刻工藝的參數(shù)，例如機(jī)臺工藝溫度、蝕刻液濃度、硅晶片傳送裝置的傳送速度等等。如此周而復(fù)始，對每一片送入蝕刻機(jī)臺內(nèi)的硅晶片做上述程序，并且自動回饋蝕刻率的記錄以調(diào)整蝕刻工藝參數(shù)，達(dá)到能隨時監(jiān)控硅晶片的蝕刻率與穩(wěn)健的蝕刻工藝，以提升蝕刻工藝的良率。

本發(fā)明將在下述以一實(shí)施例說明所述光伏裝置的蝕刻工藝控制方法的原理與實(shí)施方式。

附圖說明

圖1為本發(fā)明光伏裝置蝕刻工藝控制方法的流程示意圖。

附圖標(biāo)記說明：1～5-步驟。

具體實(shí)施方式

為使貴審查委員能對本發(fā)明的特征、目的及功能有更進(jìn)一步的認(rèn)知與了解，下文特將本發(fā)明的相關(guān)細(xì)部結(jié)構(gòu)以及設(shè)計(jì)的理念原由進(jìn)行說明，以使得審查委員可以了解本發(fā)明的特點(diǎn)，詳細(xì)說明陳述如下：

本發(fā)明提供一種光伏裝置的蝕刻工藝控制方法，其是在光伏裝置的蝕刻程序中，運(yùn)用自動工藝回饋控制法來調(diào)整晶片的蝕刻率，以達(dá)到穩(wěn)定的蝕刻工藝參數(shù)。

請參閱圖1所示，該圖為本發(fā)明光伏裝置蝕刻工藝控制方法的一實(shí)施例的流程示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例光伏裝置的蝕刻工藝控制方法是包括有下列步驟：

步驟1：將一晶片送入一蝕刻機(jī)臺；

步驟2：在所述蝕刻機(jī)臺內(nèi)測量、計(jì)算、記錄所述晶片在蝕刻工藝前與蝕刻工藝后的某一特定物理量的差異，并由此計(jì)算、記錄其蝕刻率；

步驟3：由所述蝕刻機(jī)臺自動判斷所述蝕刻率與所述蝕刻機(jī)臺內(nèi)設(shè)的預(yù)定值是否有差異，若為否，則重新回到步驟1，若為是，則往下進(jìn)行步驟4；

步驟4：由所述蝕刻機(jī)臺計(jì)算蝕刻工藝參數(shù)修正值；

步驟5：由所述蝕刻機(jī)臺自動修正其蝕刻工藝參數(shù)，并且回到步驟1。

在本實(shí)施例步驟2中所述特定的物理量，可以是所述硅晶片的質(zhì)量或者是尺寸例如厚度，而步驟4和步驟5的蝕刻工藝的參數(shù)，可以是機(jī)臺工藝溫度、蝕刻液濃度或者硅晶片傳送裝置的傳送速度。

如此周而復(fù)始地對每一片送入蝕刻機(jī)臺內(nèi)的硅晶片重復(fù)上述程序，并且自動回饋蝕刻率的記錄以調(diào)整蝕刻工藝參數(shù)，達(dá)到能隨時監(jiān)控硅晶片的蝕刻率與穩(wěn)健的蝕刻工藝，以提升蝕刻工藝的良率。