[發明專利]光伏裝置的蝕刻工藝控制方法

無效

• 申請號: 200910210815.1
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN102054894A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 葉育修;劉華龍;劉正治;羅智文
• 申請（專利權）人: 均豪精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種光伏裝置的蝕刻工藝控制方法，其特征在于，其是包括有下列步驟：

步驟1：將一晶片送入一蝕刻機臺；

步驟2：在所述蝕刻機臺內測量、計算、記錄所述晶片在蝕刻工藝前與蝕刻工藝后的某一特定物理量的差異，并由此計算、記錄其蝕刻率；

步驟3：由所述蝕刻機臺自動判斷所述蝕刻率與所述蝕刻機臺內設的預定值是否有差異，若為否，則重新回到步驟1，若為是，則往下進行步驟4；

步驟4：由所述蝕刻機臺計算蝕刻工藝參數修正值；

步驟5：由所述蝕刻機臺自動修正其蝕刻工藝參數，并且回到步驟1。

2.如權利要求1所述的光伏裝置的蝕刻工藝控制方法，其特征在于，在步驟2所量測的特定物理量是所述晶片的質量。

3.如權利要求1所述的光伏裝置的蝕刻工藝控制方法，其特征在于，在步驟2所量測的特定物理量是所述晶片的尺寸。