[發明專利]半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 200910209931.1
• 申請日: 2009-10-29
• 公開（公告）號: CN102054666A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 簡昆峯;周武清;楊祝壽;江美昭;莫啟能;羅志偉
• 申請（專利權）人: 華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 孫長龍

技術領域

本發明有關于一種半導體元件的制造方法，且特別是有關于可轉移半導體元件于軟性基板上的制造方法。

背景技術

現今，半導體元件已成為電子產品或裝置的必需元件，以發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)為例，由于發光二極管(Light?Emitting?Diode；LED)具有生產成本低、結構簡單、低耗電、體積小以及安裝容易的優勢，因而大量運用于照明光源以及顯示器技術中。

目前，半導體元件或半導體芯片可接合于一軟性基板上，以形成一可撓性電子裝置，藉以具有可撓性和輕便可移植性。一般，例如發光二極管等半導體元件或半導體芯片是先制造于一硬性基板上，再利用例如激光剝離(laser?lift?off)的技術來剝離半導體元件或半導體芯片，藉以轉移至軟性基板上。

然而，激光容易對半導體元件或半導體芯片的薄膜半導體結構造成破壞，例如容易對量子井或量子點材料產生退火效應，而改變量子井或量子點材料的結構，因而影響半導體元件或半導體芯片的效能。

發明內容

因此本發明的一方面是在于提供一種半導體元件的制造方法，藉以轉移半導體元件于所預期的基板上。

本發明的另一方面是在于提供一種半導體元件的制造方法，藉以轉移半導體元件于軟性基板或可撓性基板上，以具有可撓性和輕便可移植性。

本發明的又一方面是在于提供一種半導體元件的制造方法，藉以取代激光剝離技術，因而可避免激光對于半導體元件的影響，并減少制程成本。

根據本發明的實施例，本發明的半導體元件的制造方法包含如下步驟：形成半導體結構層于第一基板上；物理研磨第一基板；蝕刻第一基板，其中第一基板在蝕刻后的厚度小于等于10μm；形成第一電極于半導體結構層的第一側上；形成第二電極于半導體結構層的第二側上；以及接合半導體結構層和第一基板于第二基板上。

因此，本發明的半導體元件的制造方法可可轉移半導體元件于所預期的基板上，并可同時確保元件的性能。相較現有的激光剝離技術，本發明的方法可減少制程成本，且方法步驟較為簡易實施。

附圖說明

為讓本發明的上述和其它目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式的詳細說明如下：

圖1A至圖1F繪示依照本發明的一實施例的半導體元件的制程剖面圖。

圖2繪示依照本發明的一實施例的半導體元件的剖面示意圖。

圖3繪示公知發光二極管與本發明的半導體元件的光激熒光光譜量測圖。

具體實施方式

為讓本發明的上述和其它目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，本說明書將特舉出一系列實施例來加以說明。但值得注意的是，此些實施例只是用以說明本發明的實施方式，而非用以限定本發明。

請參照圖1A至圖1F，其繪示依照本發明的一實施例的半導體元件的制程剖面圖。本實施例的半導體元件的制造方法可轉移半導體元件100于一預期的基板上，例如軟性基板或可撓性基板上。此半導體元件100例如為發光二極管、激光二極管、太陽能電池、光檢測器、雙極性晶體管(BJT)、金氧半晶體管(MOS)、互補式金氧半晶體管(CMOS)、高功率晶體管、異質接面晶體管(HBT)或高電子移動率晶體管(HEMT)。在另一些實施例中，半導體元件100亦可為集成電路芯片。請先參照圖1F。在本實施例中，半導體元件100包含半導體結構層110、第一基板120、第二基板130、第一電極140、第二電極150及接合層160，其中第二電極150、接合層160、第一基板120、半導體結構層110及第一電極140可依序地堆棧設置于第二基板130上。