[發明專利]半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 200910209931.1
• 申請日: 2009-10-29
• 公開（公告）號: CN102054666A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 簡昆峯;周武清;楊祝壽;江美昭;莫啟能;羅志偉
• 申請（專利權）人: 華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 孫長龍

1.一種半導體元件的制造方法，包含：

形成一半導體結構層于一第一基板上；

物理研磨該第一基板；

蝕刻該第一基板，其中該第一基板在蝕刻后的厚度小于等于10μm；

形成一第一電極于該半導體結構層的一第一側上；

形成一第二電極于該半導體結構層的一第二側上；以及

接合該半導體結構層和該第一基板于一第二基板上。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該第二電極是預先形成于該第二基板上，該第一基板再接合于該第二基板上的第二電極，以形成該第二電極于該半導體結構層的該第二側上。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該半導體元件為發光二極管、激光二極管、太陽能電池、光檢測器、雙極性晶體管BJT、金氧半晶體管MOS、互補式金氧半晶體管CMOS、高功率晶體管、異質接面晶體管HBT或高電子移動率晶體管HEMT。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該第一基板的材料為砷化鎵GaAs、硅、碳化硅SiC、氮化鋁基板、磷化銦或磷化鎵。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包含：

在該物理研磨步驟前，接合該半導體結構層于一暫時基板上；以及

在該蝕刻步驟后，剝離該暫時基板。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在該物理研磨步驟后，該半導體結構層和該第一基板的厚度小于等于50μm。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在該物理研磨步驟后，該半導體結構層和該第一基板的厚度小于等于20μm。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該蝕刻步驟使用一化學蝕刻液，該化學蝕刻液為H₂O₂+NaOH溶液。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該蝕刻步驟使用一化學蝕刻液，該化學蝕刻液對于該第一基板的蝕刻速率大于該化學蝕刻液對于該半導體結構層的蝕刻速率。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，控制蝕刻時間，以調整該第一基板的厚度，在該蝕刻步驟后，該第一基板的厚度為1μm-5μm。

11.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在該接合該半導體結構層和該第一基板于該第二基板上的步驟中，該半導體結構層與該第一基板利用一接合層來接合于該第二基板上。

12.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，

該第二基板為一軟性基板，或

該第二基板為一高散熱性基板和一印刷電路板的其中之一。