[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910209356.5
• 申請日: 2009-11-04
• 公開（公告）號: CN102054784A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 青云
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/8249
• 分類號: H01L21/8249;H01L21/265;H01L21/283
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

向襯底注入離子，形成n埋層區(qū)域；

在n埋層區(qū)域上形成n型外延層；

在n型外延層內(nèi)形成多個有源區(qū)和隔離區(qū)；

在n型外延層內(nèi)的部分有源區(qū)形成NSINK區(qū)，所述NSINK區(qū)與n埋層區(qū)域連通；

在外延層表面形成加厚柵氧層；

對柵氧層覆蓋下外延層表面進(jìn)行離子注入；

在外延層表面形成覆蓋柵氧層的柵多晶層；

對所述柵多晶層進(jìn)行離子注入；

在所述柵氧層和柵多晶層的側(cè)壁形成側(cè)墻；

在所述NSINK區(qū)內(nèi)形成N阱；

在有源區(qū)進(jìn)行離子注入，形成P阱。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述襯底材料可以是硅或硅鍺。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述加厚柵氧層的厚度會比設(shè)計所需的柵氧層厚大約100埃。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，對柵氧層覆蓋下外延層表面進(jìn)行離子注入的類型為N型離子。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，對柵氧層覆蓋下外延層表面進(jìn)行離子注入的具體參數(shù)為：所注入的N型離子為磷離子，注入離子的劑量約為5×10¹²/cm²，能量為40KeV～60KeV。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述在n型外延層內(nèi)形成多個有源區(qū)和隔離區(qū)的具體步驟包括：形成用熱氧化法在n外延層上形成墊氧化層；用化學(xué)氣相沉積法在墊氧化層上形成腐蝕阻擋層，所述腐蝕阻擋層的材料為氮化硅；用旋涂法在腐蝕阻擋層上形成第一光刻膠層，經(jīng)過曝光顯影工藝，定義隔離區(qū)圖形；以第一光刻膠層為掩膜，用干法刻蝕法刻蝕腐蝕阻擋層和墊氧化層，形成開口；去除第一光刻膠層后，用熱氧化法氧化開口處的n型外延層，使氧氣與硅結(jié)合，形成材料為二氧化硅的隔離區(qū)，被隔離區(qū)隔離的n型外延層形成了有源區(qū)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，形成NSINK區(qū)的步驟包括：在n型外延層、隔離區(qū)上旋涂第二光刻膠層，經(jīng)過曝光顯影工藝后，在n型外延層的一個有源區(qū)上定義出NSINK區(qū)圖形；以第二光刻膠層為掩膜，沿NSINK區(qū)圖形向n型外延層的有源區(qū)內(nèi)注入n型離子，形成NSINK區(qū)。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料選自氧化硅材料。