[發明專利]電路、控制方法及對于休眠模式和運行模式的電路應用無效
| 申請號： | 200910208102.1 | 申請日： | 2009-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN101727955A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發明（設計）人： | L·達特;T·哈努施;M·福韋爾克 | 申請（專利權）人： | 愛特梅爾汽車股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C5/14 | 分類號： | G11C5/14;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德國海*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電路 控制 方法 對于 休眠 模式 運行 應用 | ||
1.電路(10)
具有一數字CMOS電路(20)，所述數字CMOS電路(20)具有NMOS場效應晶體管(MN21，MN22，MN23，MN24)以及具有PMOS場效應晶體管(MP21，MP22，MP23，MP24)，
具有一第一負載裝置(40)，其中，所述數字CMOS電路(20)的NMOS場效應晶體管(MN21，MN22，MN23，MN24)的源極連接端子(S)通過所述第一負載裝置(40)與一第一供電電壓(VSS)相連接，以及
具有一第二負載裝置(30)，其中，所述數字CMOS電路(20)的PMOS場效應晶體管(MP21，MP22，MP23，MP24)的源極連接端子(S)通過所述第二負載裝置(30)與一第二供電電壓(VDD)相連接，
其中，所述數字CMOS電路(20)的NMOS場效應晶體管(MN21，MN22，MN23，MN24)的基體連接端子(B)直接與所述第一供電電壓(VSS)相連接，
其中，所述數字CMOS電路(20)的PMOS場效應晶體管(MP21，MP22，MP23，MP24)的基體連接端子(B)直接與所述第二供電電壓(VDD)相連接。
2.根據權利要求1所述的電路，
其中，所述第一負載裝置(40)被連接以及被設置用于僅僅借助一漏電流在所述第一負載裝置(40)上產生一第一電壓降，其中，所述漏電流流過所述數字CMOS電路(20)以及流過所述第一負載裝置(40)。
3.根據以上權利要求中任一項所述的電路，
其中，所述第二負載裝置(30)被連接以及被設置用于僅僅借助一漏電流在所述第二負載裝置(30)上產生一第二電壓降，其中，所述漏電流流過所述數字CMOS電路(20)以及流過所述第二負載裝置(30)。
4.根據以上權利要求中任一項所述的電路，
其中，所述數字CMOS電路(20)被構造用于一運行模式以及一休眠模式。
5.根據以上權利要求中任一項所述的電路，
其中，所述第一負載裝置(40)和所述第二負載裝置(30)分別具有一可調節的電阻裝置(MP1，MP2，MN1，MN2)，尤其是一可通斷的電阻(MP1，MP2，MN1，MN2)。
6.根據權利要求5所述的電路，
其中，所述可調節的電阻裝置(MP1，MP2，MN1，MN2)具有至少一個場效應晶體管(MP1，MP2，MN1，MN2)。
7.根據權利要求5或6所述的電路，
其中，所述可調節的電阻裝置(MP1，MP2，MN1，MN2)至少在一休眠模式中具有一非線性的電阻值，所述非線性的電阻值尤其是通過一場效應晶體管(MP1，MN1)形成的，所述場效應晶體管(MP1，MN1)的柵極連接端子和漏極連接端子可以導電地彼此連接或者是導電地彼此連接的。
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