[發明專利]電路、控制方法及對于休眠模式和運行模式的電路應用

無效

• 申請號: 200910208102.1
• 申請日: 2009-10-28
• 公開（公告）號: CN101727955A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: L·達特;T·哈努施;M·福韋爾克
• 申請（專利權）人: 愛特梅爾汽車股份有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;H03K19/0948
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 曾立

技術領域

本發明涉及一種電路、一種用于控制的方法以及一種對于休眠模式和運行模式的電路的應用。

背景技術

不同的電路實現了在至少一個休眠模式中以及在至少一個運行模式中的運行。在休眠模式中，電路的電流消耗比運行模式中小。為此，例如使用控制電路，所述控制電路可以激活數字電路或者禁用(deaktivieren)數字電路并且將數字電路轉換到休眠模式中以及轉換到運行模式中。如果電路需要執行一項功能，則將電路從休眠模式轉換到對應于所述功能的運行模式中。

發明內容

本發明的任務在于，說明一種具有對于休眠模式而言盡可能改進的特性的電路。

所述任務通過具有獨立權利要求1的特征的電路解決。有利的進一步構型是從屬權利要求的主題并且包括在本說明書中。

因此，提出一種電路。優選地，電路被單片地集成在半導體芯片上。集成電路具有數字CMOS電路，所述數字CMOS電路具有NMOS場效應晶體管以及PMOS場效應晶體管。MOS場效應晶體管(MOS：金屬氧化物半導體)具有源極、漏極、柵極以及也被稱為本體(Bulk)的基體(池(Wanne)/襯底)。在此，NMOS場效應晶體管是n型導電類型，而PMOS場效應晶體管是p型導電類型。在數字CMOS電路中，NMOS場效應晶體管以及PMOS場效應晶體管被作為互補的類型使用。在此，在諸如門電路的邏輯基本功能中，每個NMOS場效應晶體管分配有至少一個PMOS場效應晶體管并且每個PMOS場效應晶體管分配有至少一個NMOS場效應晶體管。

所述電路具有第一負載裝置以及第二負載裝置。第一負載裝置與第一供電電壓相連接并且與數字CMOS電路的NMOS場效應晶體管的源極連接端子相連接。第二負載裝置與第二供電電壓相連接并且與數字CMOS電路的PMOS場效應晶體管的源極連接端子相連接。在此，負載裝置應被理解為電路組成部分，所述電路組成部分對于流過它的電流而言是一個負載并且造成該負載上的電壓降。在此優選地，負載裝置具有對應于線性或非線性變化過程的電流電壓特性曲線。

數字CMOS電路的NMOS場效應晶體管的基體連接端子直接與第一供電電壓(導電地)連接。因此，在NMOS場效應晶體管的基體連接端子與第一供電電壓之間不設置元件，尤其不設置具有電阻的元件。例如，NMOS場效應晶體管的基體連接端子通過導體，尤其是通過金屬導體與供電電壓連接。同樣的情況也適用于數字CMOS電路的PMOS晶體管的基體連接端子，這些基體連接端子直接與第二供電電壓相連接。

此外，本發明的任務還在于說明一種盡可能改進的、用于對電路進行控制的方法。所述任務通過具有獨立權利要求11的特征的方法解決。有利的進一步構型是從屬權利要求的主題并且包括在本說明書中。

因此，提出一種用于具有MOS場效應晶體管的電路的方法，所述方法用于在運行模式中以及在休眠模式中對電路進行控制，所述休眠模式與所述運行模式相比具有更少的電流消耗。在此，也可以設置多個休眠模式和/或多個運行模式。在運行模式中，與MOS場效應晶體管的源極連接端子相連接的負載裝置被控制在低歐姆狀態中。在此，在低歐姆狀態中，在電路功能方面可以忽略負載裝置上的電壓降。例如，通過開關晶體管的接通來實現對低歐姆狀態的控制。

在休眠模式中，負載裝置被控制在具有與運行模式相比更高的電阻值的狀態中。在此，負載裝置被如此控制，使得在休眠模式中流過MOS場效應晶體管以及流過負載裝置的漏電流產生負載裝置上的電壓降。

此外，本發明的任務在于，說明一種對于休眠模式和運行模式的電路的應用。

所述任務通過具有獨立權利要求12的特征的應用解決。有利的進一步構型是從屬權利要求的主題并且包括在本說明書中。

因此，提出負載裝置的應用，所述負載裝置用于在電路的MOS場效應晶體管上產生基體-源極電壓。為此，負載裝置與MOS場效應晶體管的源極連接端子連接。在電路的休眠模式中產生基體-源極電壓。流過MOS場效應晶體管以及流過負載裝置的漏電流造成負載裝置上的電壓降。所述電壓降由于負載裝置與MOS場效應晶體管的連接而在MOS場效應晶體管的源極連接端子和基體連接端子上產生基體-源極電壓。優選地，尤其在休眠模式中僅漏電流流過負載裝置。優選地，負載裝置上的電壓降僅由漏電流產生。

在本發明的另一方面中提出了對于休眠模式和運行模式的電路的應用。所述電路具有多個MOS場效應晶體管，這些MOS場效應晶體管的基體連接端子與供電電壓相連接。

此外，所述電路還具有負載裝置，所述負載裝置與MOS場效應晶體管的源極連接端子相連接并且與供電電壓相連接。