[發明專利]環狀部件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910207897.4
• 申請日: 2009-11-06
• 公開（公告）號: CN101740297A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 北島次雄;小林義之
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/04
• 分類號: H01J37/04;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及一種環狀部件及其制造方法，特別涉及一種具有暴露 于等離子體的面的環狀部件。

背景技術

在對圓板狀的半導體晶片(以下，簡稱為晶片)實施規定的等離 子體處理的基板處理裝置中，在收納晶片且內部產生等離子體的收納 室，與晶片的圓板形狀對應地配置著若干個環狀部件。

已知聚焦環是作為這種環狀部件的典型例子。聚焦環是包圍晶片 周邊的環狀部件，以往，通過介電體構成，將收納室內的等離子體限 制在晶片上，促進等離子體處理。

近年來，隨著晶片的大口徑化，晶片中的等離子體處理的均勻性 比加速等離子體處理更受到重視。這里，如上述那樣，通過介電體構 成聚焦環時，等離子體集中在晶片與聚焦環的邊界，從而不能在晶片 周邊部維持等離子體處理的均勻性。因此，通過由導電體構成聚焦環 的一部分或全部，積極地將等離子體的分布區域從晶片上擴大至聚焦 環上，維持等離子體處理的均勻性(例如，參照專利文獻1)。

基于維持等離子體處理的均勻性的觀點，與晶片的構成材料為相 同材料的單晶硅適于用作聚焦環的導電體，在聚焦環的制造方法中， 與晶片的制造方法相同，使用單晶硅的硅錠(ingot)。

圖8是表示聚焦環的一般制造方法的工序圖。

首先，將單晶硅的硅錠整形為具有規定直徑的圓柱80(圖8(A))， 切削該圓柱80，切取多個圓板81(圖8(B))。接著，對于各圓板81， 切取周邊部，作為聚焦環82(圖8(C)和(D))。

專利文獻1：日本特開2002-246370號公報。

然而，此時，殘留有從圓板81切取聚焦環82而形成的圓板83作 為剩余部件。由于該圓板83的直徑比聚焦環82的直徑小，因此不能 切取圓板83的周邊部作為聚焦環82，導致聚焦環82的生產率惡化。

此外，從由單晶硅構成的圓板81一體地切取聚焦環82時，由于 切取位置的自由度低，因此，在聚焦環82的等離子體暴露面出現(顯 露)單晶硅的易消耗的結晶面，其結果，也導致聚焦環82的基于等離 子體導致的消耗的增加。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能夠抑制等離子體導致的消耗和生產 率的惡化的環狀部件及其制造方法。

為實現上述目的，本發明第一方面提供一種環狀部件，其在對基 板實施等離子體處理的基板處理裝置中被收納于在內部產生等離子體 的收納室，該環狀部件由在圓周方向上配設的多個單晶材料的圓弧狀 部件構成，上述單晶材料的易消耗的結晶面不出現在各圓弧狀部件的 暴露于上述等離子體的面。

第二方面的環狀部件，其特征在于，在第一方面的環狀部件中， 上述易消耗的結晶面的密勒指數為{1?0?0}。

第三方面的環狀部件，其特征在于，在第一方面的環狀部件中， 上述易消耗的結晶面的密勒指數，由下列四指數字符(1)表示，

(0?0?0?1){1?0?1?0}...(1)。

第四方面的環狀部件，其特征在于，在第一方面至第三方面的任 一環狀部件中，在上述多個圓弧狀部件的暴露于上述等離子體的面， 出現有上述單晶材料的相同的結晶面。

第五方面的環狀部件，其特征在于，在第一方面至第四方面的任 一環狀部件中，上述環狀部件包圍上述基板的周邊，具有與上述基板 的表面平行的面；和與該平行的面垂直的面，上述單晶材料的易消耗 的結晶面不出現在上述平行的面。

第六方面的環狀部件，其特征在于，在第五方面的環狀部件中， 上述環狀部件是聚焦環。

第七方面的環狀部件，其特征在于，在第五方面的環狀部件中， 上述環狀部件是上述基板處理裝置具備的上部電極。

第八方面的環狀部件，其特征在于，在第六方面的環狀部件中， 構成上述聚焦環的上述單晶材料與構成上述基板的單晶材料相同。

第九方面的環狀部件，其特征在于，在第一方面至第八方面的任 一環狀部件中，上述多個圓弧狀部件通過粘結劑相互粘結。

第十方面的環狀部件，其特征在于，在第一方面至第八方面的任 一環狀部件中，上述多個圓弧狀部件相互熔接。

第十一方面的環狀部件，其特征在于，在第十方面的環狀部件中， 上述多個圓弧狀部件之間的熔接部分被非晶化。