[發明專利]環狀部件及其制造方法無效
| 申請號: | 200910207897.4 | 申請日: | 2009-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN101740297A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發明(設計)人: | 北島次雄;小林義之 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/04 | 分類號: | H01J37/04;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 環狀 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一種環狀部件,其在對基板實施等離子體處理的基板處理裝 置中被收納于在內部產生等離子體的收納室,該環狀部件的特征在于:
所述環狀部件是聚焦環或所述基板處理裝置具備的上部電極,由 在圓周方向上配設的多個單晶材料的圓弧狀部件構成,
所述單晶材料的易消耗的結晶面不出現在各圓弧狀部件的暴露于 所述等離子體的面,
當所述單晶材料是單晶硅時,所述易消耗的結晶面的密勒指數為 {100},
當所述單晶材料是六方晶系的材料時,所述易消耗的結晶面的密 勒指數,由下列四指數字符(1)表示,
2.如權利要求1所述的環狀部件,其特征在于:
在所述多個圓弧狀部件的暴露于所述等離子體的面,出現所述單 晶材料的相同的結晶面。
3.如權利要求1或2所述的環狀部件,其特征在于,
包圍所述基板的周邊,
具有與所述基板的表面平行的面和與該平行的面垂直的面,
所述單晶材料的易消耗的結晶面不出現在所述平行的面。
4.如權利要求1所述的環狀部件,其特征在于:
構成所述聚焦環的所述單晶材料與構成所述基板的單晶材料相 同。
5.如權利要求1或2所述的環狀部件,其特征在于:
所述多個圓弧狀部件通過粘結劑相互粘結。
6.如權利要求1或2所述的環狀部件,其特征在于:
所述多個圓弧狀部件相互熔接。
7.如權利要求6所述的環狀部件,其特征在于:
所述多個圓弧狀部件之間的熔接部分被非晶化。
8.一種環狀部件的制造方法,該環狀部件在對基板實施等離子體 處理的基板處理裝置中被收納于在內部產生等離子體的收納室,所述 環狀部件的制造方法的特征在于,包括:
第一切取步驟,從具有規定直徑的由單晶材料構成的圓柱狀部件 的周邊部切取第一環狀部件;
第二切取步驟,從剩余部件切取具有與所述第一環狀部件相同曲 率的多個圓弧狀部件,所述剩余部件是從所述圓柱狀部件切取了所述 第一環狀部件而形成的;
接合步驟,將所述多個圓弧狀部件沿圓周方向配設并且相互接合, 形成第二環狀部件,
所述第二環狀部件是聚焦環或所述基板處理裝置具備的上部電 極,在所述第二切取步驟中,以所述單晶材料的易消耗的結晶面不出 現在各圓弧狀部件的暴露于所述等離子體的面的方式,切取所述多個 圓弧狀部件,
當所述單晶材料是單晶硅時,所述易消耗的結晶面的密勒指數為 {100},
當所述單晶材料是六方晶系的材料時,所述易消耗的結晶面的密 勒指數,由下列四指數字符(1)表示,
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