[發(fā)明專(zhuān)利]無(wú)定形碳膜及其制備方法以及無(wú)定形碳膜涂敷的材料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910203731.5
• 申請(qǐng)日: 2003-02-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101580928A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 織田一彥;內(nèi)海慶春;大原久典
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/06
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/06;C23C14/34;C23C14/28;C23C14/32;C01B31/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 丁業(yè)平;張?zhí)焓?/td>

1.一種無(wú)定形碳膜，所述膜的密度等于或大于2.8g/cm³并且等 于或小于3.3g/cm³，其中所述無(wú)定形碳膜基本上由碳形成，并且在所 述無(wú)定形碳膜中，氫和稀有氣體元素的濃度處于ppm數(shù)量級(jí)。

2.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形碳膜，所述膜的自旋密度等于或 大于1×10¹⁸自旋/cm³并且等于或小于1×10²¹自旋/cm³。

3.如權(quán)利要求1所述的無(wú)定形碳膜，其中努氏硬度等于或大于 3000并且等于或小于7000。

4.一種制備如權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的無(wú)定形碳膜的方 法，包括：

執(zhí)行濺射法或陰極弧離子鍍法或激光燒蝕法；以及

用固體碳作為原料在不含氫氣的氣氛中形成無(wú)定形碳膜。

5.一種制備如權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的無(wú)定形碳膜的方 法，包括：

使用固體碳作為原料并在真空度等于或小于0.05帕的氣氛中執(zhí) 行陰極弧離子鍍法或激光燒蝕法；以及

在不引入含有氫氣或稀有氣體的氣體的情況下形成無(wú)定形碳膜。

6.如權(quán)利要求4或5所述的制備無(wú)定形碳膜的方法，其中所述 方法還包括：

通過(guò)對(duì)基底材料施加負(fù)偏壓并且使用離子注入法、等離子CVD 法、濺射法、陰極弧離子鍍法或激光燒蝕法合成混合層，以及

在所述混合層頂部形成所述無(wú)定形碳膜。

7.如權(quán)利要求4或5所述的制備無(wú)定形碳膜的方法，其中所述 方法還包括：

通過(guò)對(duì)基底材料施加負(fù)偏壓并且在含有稀有氣體的氣氛中使用 離子注入法、等離子CVD法、濺射法、陰極弧離子鍍法或激光燒蝕 法合成混合層，以及

在所述混合層頂部形成所述無(wú)定形碳膜。

8.一種無(wú)定形碳膜涂敷的材料，包括：

涂敷有權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的無(wú)定形碳膜。

9.一種無(wú)定形碳膜涂敷的材料，包括：

涂敷有根據(jù)權(quán)利要求4到7中任一項(xiàng)所述的方法制備的無(wú)定形 碳膜。