[發明專利]在直接化學機械拋光工藝的產品中共用SL掩模板的方法

有效

• 申請號: 200910201877.6
• 申請日: 2009-11-30
• 公開（公告）號: CN102082088A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 闞歡
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;G03F1/14
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

技術領域

本發明涉及半導體集成電路領域，特別是涉及一種在直接化學機械拋光工藝的產品中共用SL(劃片槽掩模板)掩模板的方法。

背景技術

對于0.18μm以下采用STI(淺溝槽隔離)隔離的器件，其CMP(化學機械平面化)工藝方法一般有兩種，一種是普通CMP，一種是DCMP(直接化學機械拋光)。

普通CMP包括兩個光刻層次：STI光刻，刻蝕，填充S_iO₂，反向STI光刻，刻蝕源區上的S_iO₂，CMP形成STI。

DCMP只有一個光刻層次：STI光刻，刻蝕，填充S_iO₂，CMP形成STI。

在DCMP工藝中，在STI形成時，所有的結構局部起伏達到最小，以保持各種結構的均一性，但同時光刻對準標記也被平坦化了，因此在后續的成膜過程中，光刻對準標記臺階深度不夠，最終導致后續的光刻層次無法對準及套刻。此時就需要使用一層額外的光刻工藝打開光刻對準標記區域并進行附加刻蝕，使最終形成的光刻對準標記臺階高度可以滿足后續光刻對準工藝的需求，如圖3-5所示。這層光刻所使用的掩模板即稱為SL掩模板。

圖1-2是在DCMP工藝中未采用SL掩模板進行光刻、刻蝕的流程示意圖。在STI形成后(參見圖1)直接進行多晶硅的沉積(參見圖2)。

圖3-5是在DCMP工藝中采用SL掩模板進行光刻、刻蝕的流程示意圖。在STI形成后(參見圖3)，采用SL掩模板進行光刻及S_iO₂刻蝕(參見圖4)，然后再進行多晶硅的沉積(參見圖5)。

在傳統的DCMP工藝采用SL掩模板進行光刻、刻蝕的方法中，由于每個產品的掩模板設計不同，每個光刻對準標記在掩模板上的位置也都不一樣，因此每個DCMP工藝的產品都各自需要一塊SL掩模板。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種在直接化學機械拋光工藝的產品中共用SL掩模板的方法，使所有采用DCMP的產品之間共用一塊SL掩模板，節約生產成本。

為解決上述技術問題，本發明的在直接化學機械拋光工藝的產品中共用SL掩模板的方法是采用如下技術方案實現的：設計一塊通用的SL掩模板，其包括各光刻對準標記的打開圖形，各套刻標記的打開圖形以及所述各圖形之間用于防止光刻機擋板漏光的暗區；在光刻時通過設定不同掩模板擋板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的參數，使所述SL掩模板用于不同的DCMP工藝的產品中。

采用本發明的方法，可以在不同的DCMP工藝的產品中共用一塊SL掩模板，能夠有效降低產品生產成本。

附圖說明

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1-2是DCMP工藝中未采用SL掩模板進行光刻、刻蝕的流程示意圖；

圖3-5是DCMP工藝中采用SL掩模板進行光刻、刻蝕的流程示意圖；

圖6是一種通用SL掩模板一實施例示意圖。

具體實施方式

所述的在直接化學機械拋光工藝的產品中共用SL掩模板的方法具體實施時，需要設計一塊特殊的通用SL掩模板。圖6是所述通用SL掩模板一實施例示意圖；其中包括各光刻對準標記的打開圖形，各套刻標記的打開圖形以及所述各圖形之間用于防止光刻機擋板漏光的暗區。在光刻時通過設定不同掩模板擋板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的參數，使得這塊特殊設計的SL掩模板可以在不同的DCMP工藝的產品中共用，進行光刻以打開光刻標記區域。

在不同的DCMP工藝的產品中使用所述的通用SL掩模板進行光刻可以采用以下不同的方法：

1、不同的產品根據其光刻對準標記的坐標，設定不同掩模板擋板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的參數。

2、不同的產品根據其光刻對準標記的坐標，設定不同掩模板擋板，以及硅片偏移量的參數。

3、不同的產品根據其光刻對準標記的坐標，設定不同掩模板擋板，以及掩模板偏移量的參數。

4、至少打開后續光刻層次對準以及套刻所需的光刻標記。

以上通過具體實施方式對本發明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發明的限制。在不脫離本發明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發明的保護范圍。