[發明專利]在直接化學機械拋光工藝的產品中共用SL掩模板的方法

有效

• 申請號: 200910201877.6
• 申請日: 2009-11-30
• 公開（公告）號: CN102082088A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 闞歡
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;G03F1/14
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種在直接化學機械拋光工藝的產品中共用SL掩模板的方法，所述SL掩模板，是指在STI形成后，用于打開光刻對準標記區域并進行附加刻蝕時所使用的掩模板，使最終形成的光刻對準標記臺階高度滿足后續光刻對準工藝需求；其特征在于：設計一塊通用SL掩模板，其包括各光刻對準標記的打開圖形，各套刻標記的打開圖形以及所述各圖形之間用于防止光刻機擋板漏光的暗區；在光刻時通過設定不同掩模板擋板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的參數，使所述SL掩模板用于不同的DCMP工藝的產品中。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：使用所述通用SL掩模板進行光刻時，不同的產品根據其光刻對準標記的坐標，設定不同掩模板擋板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的參數。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：使用所述通用SL掩模板進行光刻時，不同的產品根據其光刻對準標記的坐標，設定不同掩模板擋板，以及硅片偏移量的參數。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：使用所述通用SL掩模板進行光刻時，不同的產品根據其光刻對準標記的坐標，設定不同掩模板擋板，以及掩模板偏移量的參數。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：使用所述通用SL掩模板進行光刻時，至少打開后續光刻層次對準以及套刻所需的光刻標記。