[發(fā)明專利]功率MOS晶體管內(nèi)集成肖特基二極管的工藝方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910201856.4
• 申請(qǐng)日: 2009-11-24
• 公開（公告）號(hào): CN102074508A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵向榮;魏煒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L21/265
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種功率MOS晶體管內(nèi)集成肖特基二極管的工藝方法，其特征在于：包括如下步驟：

(1)在已做完?yáng)艠O二氧化硅阻擋層刻蝕的基片上依次進(jìn)行Body注入、去光阻及Body推進(jìn)；

(2)柵極溝道刻蝕，形成柵極；

(3)源注入及源區(qū)推進(jìn)；

(4)接觸孔刻蝕；

(5)第一次接觸孔注入；

(6)接觸孔溝槽刻蝕；

(7)第二次接觸孔注入；

(8)后續(xù)工藝包括依次進(jìn)行金屬淀積、曝光和刻蝕。

2.如權(quán)利要求1所述的功率MOS晶體管內(nèi)集成肖特基二極管的工藝方法，其特征在于：步驟(1)中，根據(jù)不同的閾值電壓要求，所述Body注入的能量為120KeV-240KeV，劑量為0.8-2.4E13，角度為0-15度，Body推進(jìn)的時(shí)間為30-100分鐘，溫度為1000-1150攝氏度。

3.如權(quán)利要求1所述的功率MOS晶體管內(nèi)集成肖特基二極管的工藝方法，其特征在于：步驟(2)中，所述柵極溝道刻蝕的深度為1.0至2.0微米。

4.如權(quán)利要求1所述的功率MOS晶體管內(nèi)集成肖特基二極管的工藝方法，其特征在于：步驟(3)中，所述源注入的能量為50-80KeV，劑量為1.0-8.0E15，所述源區(qū)推進(jìn)的溫度在900-950攝氏度，時(shí)間為30-60分鐘。

5.如權(quán)利要求1所述的功率MOS晶體管內(nèi)集成肖特基二極管的工藝方法，其特征在于：步驟(4)中，所述接觸孔刻蝕具體為：接觸孔曝光、刻蝕至外延層表面，外延層過(guò)刻蝕100-500埃，形成接觸孔隔離層。

6.如權(quán)利要求1所述的功率MOS晶體管內(nèi)集成肖特基二極管的工藝方法，其特征在于：步驟(5)中，所述第一次接觸孔注入應(yīng)確保接觸孔側(cè)壁形成歐姆接觸，注入劑量為1.0-5.0E15的B+離子。

7.如權(quán)利要求1所述的功率MOS晶體管內(nèi)集成肖特基二極管的工藝方法，其特征在于：步驟(6)中，所述接觸孔溝槽的深度為4000-7000埃。

8.如權(quán)利要求1所述的功率MOS晶體管內(nèi)集成肖特基二極管的工藝方法，其特征在于：步驟(7)中，所述第二次接觸孔注入在接觸孔溝槽雙側(cè)并接近底部，需確保沒(méi)有注入在溝槽底部，形成肖特基接觸，該第二次接觸孔注入的能量為20-60KeV，劑量為0.3-1.2E13的B+離子，注入角度根據(jù)接觸孔深寬比從30-60度調(diào)整。