[發明專利]高深寬比溝槽隔離區的填充方法

無效

• 申請號: 200910201730.7
• 申請日: 2009-10-28
• 公開（公告）號: CN102054736A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 劉繼全
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種高深寬比溝槽隔離區的填充方法，其特征在于，包括如下步驟：在硅基片或硅外延層上形成溝槽；在所述溝槽表面依次形成氧化層、氮化層；用選擇性刻蝕去除溝槽底部的氮化層和氧化層，暴露出溝槽底部的硅；用選擇性硅外延工藝方法在溝槽底部生長一定厚度的硅外延層；對所述硅外延層進行高溫氧化，使其轉化為氧化硅層；在所述氧化硅層上沉積絕緣層。

2.如權利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述溝槽的深度為0.5μm～15μm。

3.如權利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述氧化層采用高溫氧化的方法形成。

4.如權利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述氮化層用化學氣相沉積的方法形成。

5.如權利要求1所述的方填充法，其特征在于：所述選擇性刻蝕是在所述硅片的上表面涂光刻膠，用光刻膠保護溝槽的頂部；采用各相異性干法刻蝕的方法對所述溝槽底部進行刻蝕，去除所述溝槽底部的氧化層和氮化層，然后再去除所述光刻膠。

6.如權利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述硅外延層的厚度為0.1μm～5.0μm，并且小于所述溝槽的深度。

7.如權利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述硅外延層只在所述溝槽底部暴露出的硅區域生長，所述氮化層上不生長硅外延層。

8.如權利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述硅外延層高溫氧化后，所述氧化硅層的厚度小于所述溝槽深度。

9.如權利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述第二絕緣層采用高密度等離子化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、常壓亞常壓化學氣相沉積、等離子化學氣相沉積方法中的任意一種來形成。

10.如權利要求1所述的填充方法，其特征在于：用化學機械研磨使第二絕緣層平坦化，并使用濕法刻蝕去除硅片上表面的氮化層和氧化層。