[發(fā)明專利]用于制造半導體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910199444.1
• 申請日: 2009-11-26
• 公開（公告）號: CN102082126A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 趙林林;韓寶東
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/311
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括下列步驟：

提供已包括襯底和淺隔離溝槽結構的硅片，分別在PMOS和NMOS區(qū)域上形成柵氧化層和柵電極；

在PMOS和NMOS的柵電極上分別形成間隙絕緣層，在襯底背面形成第一絕緣層；

在間隙絕緣層上形成間隙壁，并在第一絕緣層背面形成第二絕緣層；

在硅片正面形成蝕刻停止層，接著在蝕刻停止層上形成第一高應力誘發(fā)層；

干法刻蝕PMOS區(qū)域上的部分第一高應力誘發(fā)層并用標準清洗液清洗硅片并高溫退火，形成第二高應力誘發(fā)層；

干法刻蝕NMOS區(qū)域上第二高應力誘發(fā)層。

2.如權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，其特征在于，所述第一絕緣層的成分為SiO₂。

3.如權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，其特征在于，所述第二絕緣層的成分為SiN。

4.如權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，其特征在于，所述第一高應力誘發(fā)層和第二高應力誘發(fā)層的成分為SiN。

5.如權利要求4所述的用于制造半導體器件的方法，其特征在于，所述SiN的形成條件為：源氣體的氣壓為5.5～6.5torr；功率為30～80w；所采用的源氣體為SiH₄、NH₃與N₂的混合氣體，SiH₄氣體流速為20～30sccm，NH₃氣體流速為20～100sccm，N₂氣體流速為15000～25000sccm，溫度400～450攝氏度，壓力為950MPa。

6.如權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，其特征在于，所述蝕刻停止層的成分為SiO₂，形成厚度為100～200埃。

7.如權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，其特征在于，所述刻蝕所述第一高應力誘發(fā)層、第二高應力誘發(fā)層和蝕刻停止層的步驟采用的是干法刻蝕工藝。

8.如權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，其特征在于，所述干法刻蝕的形成條件為：采用一組包括CF4、BCl3、CH2F2、CHF3和N2的氣體中選用的混合氣體進行的反應性離子刻蝕，刻蝕時間為10～50秒，刻蝕所需工作溫度為15～35攝氏度。

9.如權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，其特征在于，所述第一和第二高應力誘發(fā)層相對于所述蝕刻停止層的干法刻蝕選擇率為50∶1。

10.如權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，其特征在于，所述標準清洗液清洗硅片采用濃度為29％的氨水、濃度為30％雙氧水以及水按1∶2∶50的比例組成的混合物。