[發明專利]一種多晶硅層間介質刻蝕方法

有效

• 申請號: 200910198789.5
• 申請日: 2009-11-09
• 公開（公告）號: CN102054782A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 吳愛明;李俊;莊曉輝;張世棟;王三坡
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種多晶硅層間介質的刻蝕方法，應用于閃存中制造外圍電路區過程中，該方法包括：

提供晶圓，所述晶圓的器件面上具有前層氧化層；

在所述前層氧化層上沉積多晶硅層；

對所述多晶硅層進行光刻和干法刻蝕去除外圍電路區多晶硅層；

在所述晶圓的器件面沉積多晶硅層間介質，包括上氧化層，氮化層和下氧化層三部分；

對所述晶圓的器件面光刻后第一濕法刻蝕去除外圍電路區上氧化層；

干法刻蝕去除外圍電路區的氮化層；

第二濕法刻蝕外圍電路區的下氧化層和部分前層氧化層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述沉積多晶硅層是用爐管生長。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一濕法刻蝕去除上氧化層是用低濃度緩沖層氧化物刻蝕方法。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述干法刻蝕所用的氣體是三氟甲烷CHF₃和氧氣O₂。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述干法刻蝕去除外圍電路區的氮化層后得到的下氧化層與前層氧化層厚度之和的范圍是150埃到180埃之間。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二濕法刻蝕外圍電路區的下氧化層和前層氧化層是用低濃度緩沖層氧化物刻蝕方法。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二濕法刻蝕外圍電路區的下氧化層和部分前層氧化層得到前層氧化層的厚度范圍是10埃到15埃之間。