[發明專利]集成電路銅互連結構的制作方法有效
| 申請號： | 200910198587.0 | 申請日： | 2009-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN102054757A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發明（設計）人： | 卑多慧;劉明源;鄭春生 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 互連 結構 制作方法 | ||
1.一種集成電路銅互連結構的制作方法，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有銅互連結構，所述銅互連結構具有初始應力特性；
將形成有銅互連結構的半導體襯底裝入反應腔體中；
在所述反應腔體中，對所述銅互連結構進行退火處理，以使所述銅互連結構具有二次應力特性，所述二次應力特性小于初始應力特性。
2.如權利要求1所述的集成電路銅互連結構的制作方法，其特征在于，所述退火處理的氣氛為氮氣、惰性氣體或者二者的混合氣體。
3.如權利要求1所述的集成電路銅互連結構的制作方法，其特征在于，所述退火處理工藝的具體參數為：氣壓為2torr至10torr；反應溫度為300攝氏度至450攝氏度；反應時間為30秒至200秒，氣體流量為1600至2200SCCM。
4.如權利要求1所述的集成電路銅互連結構的制作方法，其特征在于，所述反應腔體為化學氣相淀積腔體。
5.如權利要求1所述的集成電路銅互連結構的制作方法，其特征在于，還包括繼續在同一反應腔體內，在所述形成有銅互連結構的半導體襯底上形成介電層，退火過程與所述介電層的形成是連續的，半導體襯底不需要從反應腔體中取出，即所述半導體襯底不會暴露在空氣中。
6.如權利要求5所述的集成電路銅互連結構的制作方法，其特征在于，所述介電層通過等離子體增強型化學氣相淀積形成。
7.如權利要求5所述的集成電路銅互連結構的制作方法，其特征在于，所述介電層的形成溫度范圍與對所述銅互連結構進行退火處理的退火溫度范圍相同，所述退火處理后沒有升溫或降溫過程。
8.如權利要求5所述的集成電路銅互連結構的制作方法，其特征在于，所述介電層是氮化硅或碳氮化硅。
9.如權利要求5所述的集成電路銅互連結構的制作方法，其特征在于，還包括繼續在所述介電層上形成金屬間介電層。
10.如權利要求9所述的集成電路銅互連結構的制作方法，其特征在于，所述金屬間介電層為低K介電材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
